[发明专利]声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法

权利要求书

1.一种声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，包含有第一谐振器、第二谐振器以及在两谐振器之间形成的退耦层的声耦合器件，且第一、第二谐振器都具有上电极、下电极，以及两电极间的压电层而构成的三明治结构，其特征在于，该声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法包含下述步骤：

(a)提供在一部分基底内部或上表面带有牺牲层的基底；

(b)在基底的部分牺牲层上形成第一堆叠区的第一谐振器，以及在基底上形成第二堆叠区的第一谐振器，这样第一堆叠区的第一谐振器和第二堆叠区的第一谐振器相远离；

(c)在第二堆叠区下方形成空气腔；

(d)在第二堆叠区进行第一次测量；

(e)根据第一次测量调整第一堆叠区的第一谐振器的顶部电极；

(f)分别在第一、第二堆叠区的第一谐振器上形成退耦层；

(g)分别在第一、第二堆叠区的退耦层上形成第二谐振器；

(h)在第一堆叠区或第二堆叠区进行第二次测量；

(i)根据第二次测量结果调整第一堆叠区第二谐振器顶部电极，以实现理想的器件性能。

2.根据权利要求1所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，还包括有分别在第一堆叠区的第二谐振器顶部电极上和第二堆叠区的第二谐振器顶部电极上形成钝化层这一步骤。

3.根据权利要求2所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，还包括有根据第二次测量结果调整钝化层这一步骤。

4.根据权利要求1所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，还包括有在第一堆叠区的第二谐振器形成之前移除第一牺牲层以在第一堆叠区下方形成空气腔这一步骤。

5.根据权利要求1所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，所述的第一堆叠区第一谐振器和第二谐振器形成步骤中进一步包含有调整底部电极和/或压电层的过程。

6.根据权利要求1所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，所述的第二堆叠区下方空气腔的形成步骤中还包括有将一部分基底从基底反面刻蚀的过程。

7.根据权利要求1所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，所述的第二堆叠区下方空气腔的形成步骤中还包括有将一部分基底从基底正面刻蚀的过程。

8.根据权利要求1所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，所述的第二堆叠区下方空气腔的形成步骤中还包括有在基底内部或上方形成第二牺牲层，以使第二堆叠区位于第二牺牲层上这一步骤。

9.根据权利要求8所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，所述的位于第二堆叠区下方空气腔的形成步骤包括有：

(a)将一部分基底从基底反面刻蚀；

(b)移除第二牺牲层。

10.根据权利要求8所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，所述的位于第二堆叠区下方空气腔的形成步骤包括有：从基底正面移除第二牺牲层这一过程。

11.根据权利要求1所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，所述的第一次测量决定第二堆叠区第一谐振器的谐振频率；所述的第二次测量涉及引起第一谐振器、第二谐振器的谐振，而且决定第一堆叠区和/或第二堆叠区的电气响应。

12.根据权利要求1所述的声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，其特征在于，所述的第一次测量决定第二堆叠区第一谐振器一层或多层膜的厚度，所述的第二次测量决定第一和/或第二堆叠区第二谐振器一层或多层膜的厚度。