[发明专利]波形产生电路

说明书

技术领域

本发明的示例性实施例涉及用于设计半导体的技术，更具体地涉及一种用于产生预定波形的波形产生电路。

背景技术

一般而言，在半导体存储器件内提供用于执行不同操作的不同电路，该半导体存储器件包括双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)器件。在这些电路当中有产生预定波形的波形产生电路。在波形产生电路中产生的波形的例子包括正弦波、方波、斜波、三角波、锯齿波等。

图1是描述通常的锯齿波产生电路的电路图。参见图1，锯齿波产生电路包括：电流源IS，用于产生参考电流I_REF；电容器C，用于用参考电流I_REF加以充电；以及NMOS晶体管NM，用于通过响应于脉冲信号PUL而导通，使电容器C向放电端子V_GND放电。

图2是描述图1所示的锯齿波产生电路的电路操作的波形图。

参见图1和图2，脉冲信号PUL是具有短脉冲宽度和预定周期T的信号。NMOS晶体管NM根据周期T而导通。首先，当NMOS晶体管NM断开时，用参考电流I_REF对电容器C充电，并且基于充电程度而确定锯齿波形信号S_OUT的斜率。图2示出了当图1的波形产生电路按预期操作时产生的锯齿波形信号S_OUT。这里，锯齿波形信号S_OUT的斜率由参考电流I_REF和电容器C的电容来定义。随后，当NMOS晶体管NM导通时，电容器C向端子V_GND放电。

然而，基本上难以在传统的电路结构中实现理想的锯齿波形信号S_OUT。这是因为反映于波形产生电路中的环境因素(诸如，过程、电源电压、温度等)可不同，并且这些因素影响锯齿波形信号S_OUT的斜率。例如，当参考电流I_REF的量根据反映于电路中的环境因素而改变时，当电容器C的电容改变时，当NMOS晶体管NM的寄生电容的大小改变时，锯齿波形信号S_OUT的目标波形和斜率都可能改变。归根结底，由于反映于电路中的环境因素，锯齿波形信号S_OUT不维持均一的斜率。

锯齿波形信号S_OUT通常用于以模拟方式控制的电路中。在这种电路中，确定锯齿波形信号S_OUT的斜率以实现特定结果，而当波形偏离期望的斜率时，不能实现该结果。因此，需要开发一种电路，其能产生始终具有均一斜率的锯齿波形信号S_OUT，以便实现期望波形的结果目标。

发明内容

本发明的实施例涉及一种波形产生电路，其可通过将环境因素反映于最终产生波形信号的电路中来针对环境因素补偿该波形信号。

本发明的另一实施例涉及一种波形产生电路，其接收来自最终产生的波形的反馈，比较该反馈波形与参考电压，并且基于比较结果控制波形信号。

本发明的另一实施例涉及一种波形产生电路，其通过根据初始操作周期和正常操作周期改变反映于驱动控制信号中的权重来产生波形信号。

本发明的其它目的和优点可通过下面描述而理解，并且参考本发明的实施例变得明白。此外，对于本发明相关领域的技术人员显然的是，本发明的目的和优点可以通过所声明的装置及其组合来实现。

根据本发明的实施例，一种波形产生电路包括：波形产生块，其被配置成产生对应于驱动控制信号的波形信号；以及，控制信号产生块，其被配置成产生驱动控制信号以用于针对反映于该波形产生电路中的环境因素而补偿该波形信号。

根据本发明的另一实施例，一种波形产生电路包括：波形产生块，其被配置成产生对应于驱动电流的波形信号；电压比较块，其被配置成比较该波形信号的电压电平与参考电压，该参考电压是基于该波形信号的目标电压电平而定义的；以及，驱动电流控制块，其被配置成产生与该电压比较块的输出信号对应的驱动控制信号，并且基于该驱动控制信号而控制该驱动电流。

根据本发明的另一实施例，一种波形产生电路包括：波形产生块，其被配置成产生对应于驱动控制信号的波形信号；比较信号产生块，其被配置成通过比较该波形信号的电压电平与参考电压来产生比较信号，该参考电压是基于该波形信号的目标电压电平而定义的；编码信号产生块，其被配置成响应于该比较信号而产生编码信号，该编码信号反映对应于初始操作周期或正常操作周期的权重；以及，控制信号产生块，其被配置成产生对应于该编码信号的该驱动控制信号。

当根据本发明的一个实施例产生具有预定波形的波形信号时，有可能针对反映于电路中的环境因素而补偿该波形信号。特定言之，可通过如下操作来产生具有期望波形的波形信号：接收对最终产生的波形信号的反馈，比较所接收的波形信号与参考电压，并且基于比较结果改变用来产生波形信号的驱动控制信号。随后，在本发明的一个实施例中，可根据初始操作周期和正常操作周期改变驱动控制信号的权重以提高操作效率。