[发明专利]包括响应电源故障信号而刷新写入数据的电源故障电路的非易失性半导体存储器

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器，其包括：

第一存储器件，其包括存储器阵列和数据寄存器，该存储器阵列包括多个存储段，所述数据寄存器在写入数据被写入所述存储段中的一个之前存储所述写入数据；

存储器控制器，其包括执行从主机接收的存取命令的微处理器；

接口电路，其可操作用于生成控制信号，该控制信号使得所述微处理器能够与所述第一存储器件通信；以及

电源故障电路，其可操作用于响应电源故障信号，通过所述接口电路传输刷新命令到所述第一存储器件，其中所述第一存储器件通过转移存储在所述数据寄存器中的所述写入数据到所述存储段，响应所述刷新命令。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其中所述电源故障信号包括专用控制线。

3.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其中所述电源故障电路独立于所述微处理器传输所述刷新命令到所述第一存储器件。

4.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其中所述刷新命令包括10h。

5.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，进一步包括第二存储器件，其中所述电源故障电路进一步可操作用于配置所述接口电路，以便传输所述刷新命令到所述第一存储器件，并配置所述接口电路，以便响应所述电源故障信号而传输所述刷新命令到所述第二存储器件。

6.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其中所述数据寄存器包括缓存寄存器。

7.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，进一步包括副电源，其响应所述电源故障信号而为所述电源故障电路、所述接口电路和所述存储器件供电。

8.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其中所述电源故障电路中断所述微处理器正在执行的当前存取命令。

9.一种操作包括第一存储器件的非易失性半导体存储器的方法，该存储器件包括具有多个存储段的存储器阵列，和在写入数据被写入到所述存储段的一个之前存储所述写入数据的数据寄存器，和包括用于执行从主机接收的存取命令的微处理器的存储器控制器，和可操作用于生成控制信号的接口电路，该控制信号使得所述微处理器能够与所述第一存储器件通信，所述方法包括：

检测电源故障条件；以及

响应所检测的与所述微处理器无关的电源故障条件，经所述接口电路传输刷新命令到所述第一存储器件，其中所述第一存储器件通过转移存储在所述数据寄存器中的所述写入数据到所述存储段响应所述刷新命令。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述刷新命令包括10h。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述非易失性半导体存储器进一步包括第二存储器件，所述方法进一步包括配置所述接口电路以便传输所述刷新命令到所述第一存储器件，并配置所述接口电路，以便响应所检测的与所述微处理器无关的电源故障条件，传输所述刷新命令到所述第二存储器件。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述数据寄存器包括缓存寄存器。

13.根据权利要求9所述的方法，其中在所述电源故障条件被检测时，进一步包括中断所述微处理器正在执行的当前存取命令。