[发明专利]包括第二导电类型半导体层的发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电类型半导体层；

所述第一导电类型半导体层上的有源层；

所述有源层上的粗糙图案；以及

所述粗糙图案和所述有源层上的第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层包括金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述金属氧化物由氧化锌(ZnO)形成。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电类型半导体层包括p型掺杂物，所述p型掺杂物包括镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、以及镉(Cd)中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电类型半导体层包括凹凸图案。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粗糙图案具有In_xAl_yGa_1-x-yN的组成式，其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述粗糙图案包括p型掺杂物，所述p型掺杂物包括镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、以及镉(Cd)中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中通过堆叠阻挡层和阱层来形成所述有源层。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述阻挡层被设置为多个，

所述有源层包括所述阻挡层，以及

具有其它阻挡层的厚度的大约150％到大约250％的范围内的厚度的第一阻挡层被布置在所述阻挡层的最上边的部分上。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一阻挡层的上部分包括p型掺杂物，所述p型掺杂物包括镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、以及镉(Cd)中的至少一个。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中包括p型掺杂物的所述第一阻挡层的上部分具有所述第一阻挡层的整个厚度的大约20％到大约30％的范围内的厚度。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中电极被布置在所述第二导电类型半导体层上。

12.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述第二导电类型半导体层上的导电支撑构件。

13.根据权利要求12所述的发光器件，进一步包括在所述导电支撑构件和所述第二导电类型半导体层之间的反射层。

14.一种发光器件封装，包括：

具有腔体的主体；

多个电极，所述多个电极被暴露在所述腔体内，并且相互隔开；

根据权利要求1所述的位于所述腔体内的发光器件，所述发光器件被连接到所述电极；以及

树脂，所述树脂填充所述腔体。

15.一种照明系统，包括：

基板；和

所述基板上的发光模块，所述发光模块包括权利要求1所述的发光器件。