[发明专利]一种端羟基超支化聚胺-酯聚合物及其在微流控芯片中的应用

权利要求书

1.一种端羟基超支化聚胺-酯聚合物，其特征是为G2代端羟基超支化聚胺-酯聚合物、G3代端羟基超支化聚胺-酯聚合物或G4代端羟基超支化聚胺-酯聚合物，G2代端羟基超支化聚胺-酯聚合物的结构式如下所示

G4代端羟基超支化聚胺-酯聚合物的结构式如下

由以下步骤制备而成：

(1)取等摩尔的二乙醇胺和丙烯酸甲酯，加入甲醇，混合均匀后加入反应器中，升温至35℃保持4h，得到N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯；

(2)将N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯、对甲苯磺酸和三羟甲基丙烷加入反应器中，通氮气，搅拌溶解，升温至85℃，搅拌24h，

当三羟甲基丙烷与N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩尔比为1∶9时，得到G2代端羟基超支化聚胺-酯聚合物；

当三羟甲基丙烷与N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩尔比为1∶21时，得到G3代端羟基超支化聚胺-酯聚合物；

当三羟甲基丙烷与N，N-二羟乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩尔比为1∶45时，得到G4代端羟基超支化聚胺-酯聚合物。

2.权利要求1所述的聚合物用于制备亲水性微流控芯片。

3.根据权利要求2所述的亲水性微流控芯片，其特征是通过以下步骤得到：

(a)制备聚二甲基硅氧烷微流控芯片基片；

(b)在氧气氛中将微流控芯片基片氧化；

(c)将硅烷偶联剂溶液用氮气压入到微流控芯片的通道中，放入100℃-120℃的烘箱反应，然后再将端羟基超支化聚胺-酯聚合物溶液与催化剂溶液用氮气压入到微流控芯片的通道中，50℃-70℃反应，得到端羟基超支化聚胺-酯聚合物改性的亲水性微流控芯片。

4.根据权利要求3所述的微流控芯片，其特征在于步骤(c)中所述的端羟基超支化聚胺-酯聚合物为G2代、G3代或G4代端羟基超支化聚胺-酯聚合物。

5.根据权利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于所述硅烷偶联剂为γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷，所述催化剂为三氟化硼乙基醚。

6.根据权利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于步骤(c)中将硅烷偶联剂溶液用氮气压入到微流控芯片的通道中，放入110℃的烘箱反应40min。

7.根据权利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于步骤(c)中将端羟基超支化聚胺-酯聚合物与催化剂溶液用氮气压入到微流控芯片的通道中60℃反应4h。

8.根据权利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于步骤(b)包括以下步骤：在容器中加入NaOH水溶液和H₂O₂水溶液，将制作好的微流控芯片放入容器中，固定在液面以上氧化。

9.根据权利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于NaOH水溶液为1mol/L，H₂O₂水溶液含H₂O₂30wt％。

10.根据权利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于所述微流控芯片前端内径小于末端内径，末端与毛细管套接，末端内径与毛细管外径相配合。