[发明专利]芯片封装方法有效
申请号: | 201010534406.X | 申请日: | 2010-11-05 |
公开(公告)号: | CN102034721A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 石磊;陶玉娟;高国华;舜田直实;目黑弘一 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 方法 | ||
1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括步骤:
提供半封装晶圆,所述办封装晶圆上具有切割道以及芯片的金属焊垫;
采用选择性形成工艺在所述金属焊垫上形成球下金属电极;
在晶圆上、球下金属电极以外区域形成保护层,且所述保护层覆盖于所述切割道上;
在所述球下金属电极上形成焊球;
沿切割道对晶圆进行划片。
2.如权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述选择性形成工艺为选择性电镀。
3.如权利要求2所述的芯片封装方法,其特征在于,所述选择性电镀工艺包括:
在晶圆表面形成掩模层,所述掩模层露出晶圆上需形成球下金属电极的位置;对晶圆表面进行锌酸盐清洗处理;以所述掩模层为掩模,采用无电解电镀,在晶圆上依次电镀镍金属以及金金属;去除所述掩模层。
4.如权利要求3所述的芯片封装方法,其特征在于,所述镍的电镀厚度为3μm,金的电镀厚度为0.05μm。
5.如权利要求3所述的芯片封装方法,其特征在于,所述掩模层为光刻胶掩模。
6.如权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述选择性形成工艺为选择性气相沉积。
7.如权利要求6所述的芯片封装方法,其特征在于,所述选择性气相沉积工艺包括:
在晶圆表面设置掩模板,所述掩模板露出晶圆上需形成球下金属电极的位置;以所述掩模板为掩模,采用物理气相沉积工艺,在晶圆上依次沉积镍金属以及铜金属;移除所述掩模板。
8.如权利要求7所述的芯片封装方法,其特征在于,所述掩模板为金属掩模板。
9.如权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述保护层的厚度为5μm~50μm。
10.如权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述保护层的材质为热固性环氧树脂,采用丝网印刷技术形成。
11.如权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述形成保护层后,还包括研磨晶圆表面的步骤。
12.如权利要求11所述的芯片封装方法,其特征在于,所述研磨采用机械研磨,具体包括:
将晶圆放置于固定工作台;
将柔软度小于晶圆的非织造布缠绕于研磨盘上,并紧贴晶圆表面;
使用研磨液浸润所述非织造布,进行机械研磨。
13.如权利要求10所述的芯片封装方法,其特征在于,所述形成保护层后,还包括采用等离子刻蚀去除覆于球下金属电极顶部表面的热固性环氧树脂的步骤。
14.如权利要求10所述的芯片封装方法,其特征在于,所述丝网印刷时,保持晶圆的温度低于所述热固性环氧树脂的固化温度。
15.如权利要求10所述的芯片封装方法,其特征在于,所述热固性树脂的固化温度小于200℃。
16.如权利要求15所述的芯片封装方法,其特征在于,所述热固性树脂中包含固化填充剂,所述固化填充剂的颗粒直径小于环氧树脂印刷厚度的1/3。
17.如权利要求16所述的芯片封装方法,其特征在于,所述热固性树脂的印刷厚度为15μm,固化填充剂的颗粒直径小于5μm,固化后形成的保护层平均厚度为11μm~12μm。
18.如权利要求10所述的芯片封装方法,其特征在于,在进行丝网印刷技术时,先对晶圆进行烘烤处理或者进行表面活性化的等离子处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造