[发明专利]一种降低砷化镓同位素电池暗电流的方法无效
| 申请号： | 201010534725.0 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102024879A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 姜澜;陈海洋;李大让;蔡胜国;尹建华 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 砷化镓 同位素 电池 电流 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低砷化镓同位素微电池的暗电流的方法，其特征在于具体步骤如下：
1)按要求在砷化镓同位素微电池上刻蚀隔离槽，采用PECVD技术对隔离槽蒸渡SiO2钝化层，隔离槽内的钝化层要能覆盖电池耗尽区；
2)对第1)步所得到的砷化镓同位素微电池表面加工导电电极，采用PECVD技术在电池表层蒸渡SiO2钝化层；
3)在第2)步所得到的砷化镓同位素微电池隔离槽中心位置进行刻蚀辅助电极槽，然后加工辅助电极。
2.如权利要求1所述的一种降低砷化镓同位素微电池的暗电流的方法，其特征在于：电池表层蒸渡SiO2钝化层的厚度为50～100nm。
3.如权利要求1所述的一种降低砷化镓同位素微电池的暗电流的方法，其特征在于：电池辅助电极的材料为功函数大于4eV的金属。
4.如权利要求1所述的一种降低砷化镓同位素微电池的暗电流的方法，其特征在于：电池辅助电极的材料优选为Au、Ti、Pt。
5.如权利要求1所述的一种降低砷化镓同位素微电池的暗电流的方法，其特征在于：导电电极的结构为Ti/Al/Ti/Au。
6.如权利要求1所述的一种降低砷化镓同位素微电池的暗电流的方法，其特征在于：适用的砷化镓同位素微电池优选为P+PN型GaAs同位素微电池。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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