[发明专利]发光二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构，包含：

基板；

外延结构，设于该基板上；

保护层，覆盖在该外延结构上，其中该保护层具有至少一开口，该至少一开口位于该外延结构的至少一部分上；以及

至少一电极，设于该至少一开口中，且延伸覆盖在该外延结构的该至少一部分、以及该至少一开口周围的该保护层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该外延结构包含：

第一电性半导体层，位于该基板上；

发光层，位于该第一电性半导体层的一第一部分上，且暴露出该第一电性半导体层的一第二部分；以及

第二电性半导体层，位于该发光层上，

其中，该发光二极管结构还包含透明导电层，其位于该第二电性半导体层上，且该保护层的该至少一开口包含第一开口与第二开口，其分别位于部分的该透明导电层与该第一电性半导体层的该第二部分上，

其中，该发光二极管结构的该至少一电极包含第一电极与第二电极，其分别设于该第一开口与该第二开口中，且该第一电极延伸覆盖在该透明导电层的该部分、以及该第一开口周围的该保护层上，该第二电极延伸覆盖在该第一电性半导体层的该第二部分、以及该第二开口周围的该保护层上。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该外延结构包含依序堆叠在该基板上的第二电性半导体层、发光层以及第一电性半导体层，且该至少一开口暴露出该第一电性半导体层的一部分。

4.如权利要求3所述的发光二极管结构，还包含：

反射镜，位于该第二电性半导体层与该基板之间；以及

接合层，位于该反射镜与该基板之间。

5.一种发光二极管结构的制作方法，包含：

提供一基板；

形成一外延结构于该基板上，其中该外延结构包含：

第一电性半导体层，位于该基板上；

发光层，位于该第一电性半导体层的一第一部分上，且暴露出该第一电性半导体层的一第二部分；以及

第二电性半导体层，位于该发光层上；

形成一透明导电层于该第二电性半导体层上；

形成一保护层，覆盖在该外延结构上，其中该保护层具有第一开口与第二开口，分别位于部分的该透明导电层与该第一电性半导体层的该第二部分上；以及

形成一第一电极与一第二电极分别位于该第一开口与该第二开口中，其中该第一电极延伸覆盖在该透明导电层的该部分、以及该第一开口周围的该保护层上，且该第二电极延伸覆盖在该第一电性半导体层的该第二部分、以及该第二开口周围的该保护层上。

6.如权利要求5所述的发光二极管结构的制作方法，其中形成该第一电极与该第二电极的步骤包含：

形成一光致抗蚀剂层覆盖在该保护层上，其中该光致抗蚀剂层具有第三开口与第四开口，其分别暴露出该第一开口和该第一开口周围的该保护层、与该第二开口和该第二开口周围的该保护层；

形成一电极层覆盖在该光致抗蚀剂层上，且填满该第一开口、第三开口、第二开口与第四开口；以及

进行一浮离步骤，以移除该光致抗蚀剂层与位于该光致抗蚀剂层上的该电极层。

7.如权利要求6所述的发光二极管结构的制作方法，其中形成该光致抗蚀剂层的步骤还包含使每一该第三开口的内侧面与该第四开口的内侧面具有一底切结构。

8.如权利要求6所述的发光二极管结构的制作方法，其中该光致抗蚀剂层是一负型光致抗蚀剂。

9.一种发光二极管结构的制作方法，包含：

提供一第一基板；

形成一外延结构于该第一基板上，其中该外延结构包含依序堆叠在该第一基板上的第一电性半导体层、发光层以及第二电性半导体层；

利用一接合层，将一第二基板接合在该第二电性半导体层上；

移除该第一基板，以暴露出该第一电性半导体层；

形成一保护层覆盖在该外延结构上，其中该保护层具有开口，以暴露出该第一电性半导体层的一部分；以及

形成一电极于该开口中，其中该电极延伸覆盖在该第一电性半导体层的该部分、以及该开口周围的该保护层上。