[发明专利]图像感测元件及其制作方法

权利要求书

1.一种图像感测元件，包括：

一基底，具有一前侧及一背侧；

一光线感测元件，形成于该基底中，该光线感测元件用以检测通过该背侧进入该基底的一光波；以及

一再结晶硅层，形成于该基底的该背侧上，该再结晶硅层具有与该基底的光激发荧光强度不同的光激发荧光强度。

2.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该再结晶硅层相较于该基底还重掺杂了至少一个数量级。

3.如权利要求1所述的图像感测元件，其中：

该再结晶硅层的不同区域具有相应的掺杂浓度程度，所述掺杂浓度程度之间的差异在一个数量级之内；以及

随着进入该基底的一深度增加，该基底具有逐渐减少的掺杂浓度程度，进入该基底的该深度测量自该背侧。

4.一种图像感测元件，包括：

一基底，具有：

一前表面；

一背表面，与该前表面相反；以及

互相不彼此包括的一第一部分及一第二部分，该第一部分邻接该背表面而设置，该第一部分设置于该第二部分与该背表面之间，其中该第一部分的电阻小于该第二部分；以及

一光线感测区，设置于该基底中，该光线感测区用以感测通过该背表面而朝该光线感测区投射的一光线。

5.如权利要求4所述的图像感测元件，其中该基底的该第一部分的光激发荧光强度不同于该基底的该第二部分的光激发荧光强度。

6.如权利要求4所述的图像感测元件，其中该基底的该第一部分的电阻小于该光线感测区的电阻。

7.如权利要求4所述的图像感测元件，其中：

该基底的该第一部分具有一第一范围的掺质浓度值；

该基底的该第二部分具有一第二范围的掺质浓度值；以及

该第一范围中的每一掺质浓度值大于该第二范围中的每一掺质浓度值。

8.如权利要求7所述的图像感测元件，其中该第一范围的掺质浓度值及该第二范围的掺质浓度值测量于且相关于离该背表面的一相应距离；以及其中：

该基底的该第一部分的每一所述掺质浓度值均与所述相应距离无关，并且该第一部分的每一所述掺质浓度值彼此间的差异小于一个数量级之内；以及

该基底的该第二部分的每一所述掺质浓度值均与所述相应距离反向相关。

9.一种制作图像感测元件的方法，包括：

提供一基底，具有一前侧及一背侧；

于该基底中形成一光线感测区，该光线感测区用于感测通过该背侧朝该光线感测区投射的一光线；以及

在形成该光线感测区之后，以一种方式对该基底进行一退火工艺而使该基底靠近该背侧的一部分被熔化。

10.如权利要求9所述的制作图像感测元件的方法，还包括：

在该退火工艺之前，自该背侧将一掺质注入进该基底之中，其中该注入与该退火工艺以一种方式进行而使得：

该基底被熔化的该部分为一第一部分，并具有第一范围的掺质浓度值；

该基底的一第二部分与该第一部分互相不彼此包括，且该第二部分具有一第二范围的掺质浓度值；以及

该第一范围中的每一掺质浓度值大于该第二范围中的每一掺质浓度值。