[发明专利]长寿命晶体硅太阳电池的制造方法

说明书

技术领域：

本发明涉及一种晶体硅太阳电池的制造方法。

背景技术：

现有的晶体硅太阳能电池，由于硼氧复合对的影响，在10年中输出功率下降约10％，20年中输出功率下降约20％，使用寿命短。

发明内容：

本发明的目的在于提供一种可有效减少硼氧复合对的产生，使用寿命长的长寿命晶体硅太阳电池的制造方法。

本发明的技术解决方案是：

一种长寿命晶体硅太阳电池的制造方法，包括扩磷处理步骤，其特征是：在扩磷处理步骤的通磷源前，先将硅片在氮气氛中热处理20～40分钟，再在氧氮气氛中热处理20～40分钟，热处理温度为500～1200℃，氧氮气氛中氮气与氧气的重量比为氮气∶氧气＝100∶2～3。

热处理时，采用高温、低温配合处理的方法。

采用高温、低温配合处理的方法是：先在氮气氛中于500～900℃下进行，再在氧氮气氛中于1000～1200℃下进行。

采用高温、低温配合处理的方法是：先在氮气氛中于1000～1200℃下进行10～18分钟，氮气氛中其余时间的热处理在500～900℃下进行，再在氧氮气氛中于1000～1200℃下进行。

采用高温、低温配合处理的方法是：先在氮气氛中于1000～1200℃下进行，再在氧氮气氛中于500～900℃下进行lO～18分钟，氧氮气氛中其余时间于1000～1200℃下进行。

本发明可有效保证电池的表面形成洁净区，使体内过多的氧成核，有效减少硼氧复合对的产生，使用寿命长；特别是采用高温、低温配合处理的热处理方法，有效促进过多的氧低温成核。

下面结合实施例对本发明作进一步说明。

具体实施方式：

实施例1：

一种长寿命晶体硅太阳电池的制造方法，包括扩磷处理步骤，在扩磷处理步骤的通磷源前，先将硅片在氮气氛中于500～900℃(例500℃、700℃、900℃)下进行热处理20～40分钟(例20、30、40分钟)，再在氧氮气氛中于1000～1200℃(例1000℃、1100℃、1200℃)下进行热处理20～40分钟(例20、30、40分钟)，氧氮气氛中氮气与氧气的重量比为氮气∶氧气＝100∶2～3(例100∶2、100∶2.4、100∶3)。其余步骤按常规晶体硅太阳电池的制造步骤进行，即得产品。

实施例2：

一种长寿命晶体硅太阳电池的制造方法，包括扩磷处理步骤，在扩磷处理步骤的通磷源前，先在氮气氛中于1000～1200℃(例1000℃、1100℃、1200℃)下进行10～18分钟，氮气氛中其余时间的热处理在500～900℃(例500℃、700℃、900℃)下进行，再在氧氮气氛中于1000～1200℃(例1000℃、1100℃、1200℃)下进行。其余同实施例1。

实施例3：

一种长寿命晶体硅太阳电池的制造方法，包括扩磷处理步骤，在扩磷处理步骤的通磷源前，先在氮气氛中于1000～1200℃(例1000℃、1100℃、1200℃)下进行，再在氧氮气氛中于500～900℃(例500℃、700℃、900℃)下进行10～18分钟，氧氮气氛中其余时间于1000～1200℃(例1000℃、1100℃、1200℃)下进行。其余同实施例1。