[发明专利]布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置无效
| 申请号： | 201010535877.2 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102097472A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 高泽悟;武井应树;高桥明久;片桐弘明;浮岛祯之;谷典明;石桥晓;增田忠 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L23/532;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布线 形成 方法 晶体管 以及 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管，其中，
具有：栅电极；分别由半导体构成的漏极半导体层以及源极半导体层，
以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或者导通，
在所述漏极半导体层表面和所述源极半导体层的表面的任何一个或两个上，形成以铜为主要成分且含氧的阻挡膜，
在所述阻挡膜的表面上，分别形成以铜为主要成分且电阻比阻挡膜低的低电阻膜。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，
在所述源极半导体层上的所述低电阻膜和所述漏极半导体层上的所述低电阻膜的任何一个或两个的表面上，形成以铜为主要成分且含氧的密接膜。
3.一种具有晶体管的电子装置，其中，
所述晶体管具有：栅电极；分别由半导体构成的漏极半导体层以及源极半导体层，
以如下方式构成：由施加到所述栅电极上的电压，使所述漏极半导体层和所述源极半导体层之间断开或导通，
在所述漏极半导体层表面和所述源极半导体层的表面的任何一个或两个上，形成以铜为主要成分且含氧的阻挡膜，
在所述阻挡膜的表面上，分别形成以铜为主要成分且电阻比阻挡膜低的低电阻膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010535877.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：挂钩装置及具有该挂钩装置的挂钩组合件
- 下一篇：一种衣架支撑杆
- 同类专利
- 专利分类
