[发明专利]GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法无效

申请号：	201010535878.7	申请日：	2010-11-09
公开（公告）号：	CN102468372A	公开（公告）日：	2012-05-23
发明（设计）人：	刘晓燕;沈燕;徐化勇;李树强;徐现刚	申请（专利权）人：	山东华光光电子有限公司
主分类号：	H01L33/00	分类号：	H01L33/00
代理公司：	济南金迪知识产权代理有限公司 37219	代理人：	许德山
地址：	250101 山东***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	gan 垂直结构 led sic 衬底剥离方法
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【权利要求书】：

1.一种SiC衬底的GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法，其特征在于，采用机械研磨将SiC衬底减薄到10微米-100微米；再用ICP法刻蚀SiC衬底的剩余部分，并且使ICP刻蚀停止在GaN面上，刻蚀气体是Cl₂、BCl₃、SF₆、O₂、Ar、CHF₃、CF₄之一或组合，使ICP刻蚀SiC衬底完全且停止在GaN基的层面上。

2.如权利要求1所述的SiC衬底的剥离方法，其特征在于，所述的刻蚀气体是SF₆气体。

3.如权利要求1所述的SiC衬底的剥离方法，其特征在于，所述的刻蚀气体是SF₆、O₂按摩尔比为(1～8)∶1的混合气体。

4.如权利要求1所述的SiC衬底的剥离方法，其特征在于，所述的刻蚀气体是CHF₃、Ar按摩尔比为(1～10)∶1的混合气体。

5.如权利要求1所述的SiC衬底的剥离方法，其特征在于，所述的刻蚀气体是SF₆、O₂、Ar按摩尔比(3～20)∶(1～3)∶1的混合气体。

6.如权利要求1所述的SiC衬底的剥离方法，其特征在于，所述的刻蚀时间为10～60min。

7.如权利要求1所述的SiC衬底的剥离方法，其特征在于，所述的刻蚀温度为-20℃～80℃。

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