[发明专利]形成半导体器件的图案的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的图案的方法，包括以下步骤：

在包括单元区和选择晶体管区的基础层之上形成辅助层；

在所述辅助层之上形成第一钝化层，其中所述第一钝化层遮挡选择所述晶体管区的辅助层，而将所述单元区的辅助层开放；和

在所述第一钝化层之上形成具有比所述第一钝化层窄的宽度的第一光致抗蚀剂图案，并且在所述辅助层的开放的区域之上形成第二光致抗蚀剂图案，以限定所述第一光致抗蚀剂图案与所述第二光致抗蚀剂图案之间的间隙以及所述第二光致抗蚀剂图案之间的间隙，所述第二光致抗蚀剂图案的每个的宽度都比所述第一光致抗蚀剂图案窄，其中所述第一光致抗蚀剂图案与所述第二光致抗蚀剂图案之间的间隙与在所述第二光致抗蚀剂图案之间限定的间隙的宽度相同。

2.如权利要求1所述的方法，在形成第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案的步骤之后，还包括以下步骤：

去除所述第一钝化层的暴露的区域；

去除所述辅助层的暴露的区域以形成辅助图案；

去除所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案以暴露出所述第一钝化层和未与所述第一钝化层重叠的所述辅助图案；

在所述辅助图案的侧壁上形成间隔件；和

去除暴露的所述辅助图案。

3.如权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：

在形成辅助层之前，在所述基础层之上形成硬掩模层；

使用在所述第一钝化层之下保留的所述辅助图案和所述间隔件作为刻蚀掩模来去除所述硬掩模层的暴露的区域，以形成硬掩模图案；和

在去除所述辅助图案之后，使用所述硬掩模图案作为刻蚀掩模来刻蚀所述基础层的暴露的区域，以形成目标图案。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述辅助层包括旋涂碳层。

5.如权利要求1所述的方法，包括以下步骤：在所述辅助层的整个表面之上形成所述第一钝化层之后，去除所述单元区之上的所述第一钝化层，从而在所述选择晶体管区的辅助层之上形成所述第一钝化层。

6.如权利要求5所述的方法，其中，通过以下步骤来去除所述单元区之上的所述第一钝化层：在所述选择晶体管区之上的所述第一钝化层上形成光致抗蚀剂图案；将所述第一钝化层的暴露的区域刻蚀至期望的厚度；去除所述光致抗蚀剂图案；以及然后使用毯式刻蚀工艺来刻蚀所述第一钝化层，直到暴露出所述辅助层为止。

7.如权利要求1所述的方法，包括以下步骤：在40℃至90℃范围的温度下沉积所述第一钝化层。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一钝化层包括旋涂碳层、非晶碳层或氧化物层。

9.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在形成所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案之前，在所述辅助层之上形成第二钝化层。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第二钝化层包括SiC、多晶硅或SiON。

11.如权利要求3所述的方法，其中，所述目标图案包括第一目标图案和第二目标图案，所述第一目标图案具有由在所述第一钝化层之下的所述辅助图案的宽度与在所述辅助图案侧壁上形成的所述间隔件的图案的宽度之和所限定的宽度，所述第二目标图案的每个都具有由所述间隔件的宽度限定的宽度。

12.如权利要求11所述的方法，其中，

所述第一目标图案包括NAND快闪存储器件的漏极选择线或源极选择线；以及

所述第二目标图案包括所述NAND快闪存储器件的字线。