[发明专利]一种清洁晶片装置有效
| 申请号： | 201010536700.4 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468117A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王锐廷;吴仪 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洁 晶片 装置 | ||
1.一种清洁晶片装置，其特征在于，包括：压电晶体振子(1)、用于安装所述压电晶体振子(1)的腔室(2)以及与所述压电晶体振子(1)固定连接的换能器(5)，
所述换能器(5)表面具有若干个凸起的柱体(51)，所述柱体(51)间具有若干个微孔(52)，所述微孔(52)贯通至换能器(5)的底部。
2.如权利要求1所述的清洁晶片装置，其特征在于，还包括位于腔室(2)上部两侧的气冷流体入口(3)和气冷流体出口(4)。
3.如权利要求1所述的清洁晶片装置，其特征在于，所述换能器(5)与待清洁的半导体晶片之间留有间隙。
4.如权利要求1所述的清洁晶片装置，其特征在于，所述压电晶体振子(1)产生频率为700K-2MHZ的兆声波。
5.如权利要求1所述的清洁晶片装置，其特征在于，所述微孔(52)为圆形、椭圆形、方形或菱形中任意一种形状。
6.如权利要求1所述的清洁晶片装置，其特征在于，所述微孔(52)的直径为毫米级，所述微孔(52)的长度是其直径的5-10倍。
7.如权利要求6所述的清洁晶片装置，其特征在于，所述若干个微孔(52)间的间距是其直径的1-2倍。
8.如权利要求1所述的清洁晶片装置，其特征在于，所述换能器(5)的侧面上具有导入清洁介质的侧口(53)。
9.如权利要求1或8所述的清洁晶片装置，其特征在于，所述换能器(5)为石英、红宝石或具有抗酸碱腐蚀的高分子材料制作。
10.如权利要求1所述的清洁晶片装置，其特征在于，还包括放置半导体晶片的可旋转的支撑单元(6)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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