[发明专利]硅基有源有机发光二极管显示器像素电路无效

专利信息
申请号: 201010537060.9 申请日: 2010-11-10
公开(公告)号: CN101996580A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 刘艳艳;耿卫东;代永平 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 有源 有机 发光二极管 显示器 像素 电路
【权利要求书】:

1.一种硅基有源有机发光二极管显示器像素电路,包括两个MOS管和一个存储电容(Cs),其中,

第一MOS管(M1)的源极连接电源VDD,栅极连接第二MOS管(M2)的漏极,存储电容(Cs)并联在第一MOS管(M1)的栅极和源极之间用于存储数据信号Vdata;

第二MOS管(M2)的栅极连接扫描信号Vscan,源极连接数据电压Vdata,第二MOS管(M2)用作控制数据写入的开关管,并由行扫描信号Vscan控制,其特征在于,

第一MOS管(M1)的漏极经与用作开关管的第三MOS管(M3)串接后连接有机发光二极管(OLED)阳极,第一MOS管(M1)提供的驱动电流经第三MOS管(M3)流入有机发光二极管(OLED)使其发光,有机发光二极管(OLED)阴极和第三MOS管的栅极分别与共阴极电压VCOM相连;有机发光二极管(OLED)为共阴极连接,整个器件为顶发射结构。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于存储电容(Cs)通过选择开关与参考电压VCH或VCL相接,其中VCH大于VCL;在编程期间,存储电容(Cs)与VCL相接,而在发光期间,存储电容(Cs)与VCH相接。

3.根据权利要求1或2所述的电路,其特征在于第一MOS管(M1)与第三MOS管(M3)的宽度相同,将第三MOS管(M3)的长度L3与第一MOS管(M1)的长度L1之比控制在1至1.2之间。

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