[发明专利]具有纳米级导电混合物的透明导电结构及其制作方法

权利要求书

1.一种具有纳米级导电混合物的透明导电结构，其特征在于，包括：

一基板单元，其具有至少一塑胶基板；以及

一导电单元，其具有同时成形的至少一透明导电薄膜及至少一纳米导电群组，其中上述至少一透明导电薄膜成形于上述至少一塑胶基板上，且上述至少一纳米导电群组为多个混入或嵌入上述至少一透明导电薄膜内的纳米导电线丝。

2.如权利要求1所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构，其特征在于，上述至少一塑胶基板为聚乙烯对苯二甲酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、及聚甲基丙烯酸甲酯的其中一种。

3.如申权利要求1所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构，其特征在于，上述至少一透明导电薄膜为一铟锡氧化物。

4.如权利要求1所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构，其特征在于，上述至少一透明导电薄膜的厚度介于至之间。

5.如权利要求1所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构，其特征在于，每一个纳米导电线丝为一纳米金丝、纳米银丝或纳米铜丝。

6.如权利要求1所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构，其特征在于，每一个纳米导电线丝的线径介于1nm至10nm之间。

7.如权利要求1所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构，其特征在于，上述至少一透明导电薄膜及上述至少一纳米导电群组分别通过溅镀及蒸镀的方式同时成形。

8.一种具有纳米级导电混合物的透明导电结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供至少一塑胶基板；

将上述至少一塑胶基板放入一腔体内；以及

同时通过第一种成形方式及第二种成形方式，以分别成形至少一透明导电薄膜及至少一纳米导电群组，其中上述至少一透明导电薄膜成形于上述至少一塑胶基板上，且上述至少一纳米导电群组为多个混入或嵌入上述至少一透明导电薄膜内的纳米导电线丝。

9.如权利要求8所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构的制作方法，其特征在于，上述至少一塑胶基板为聚乙烯对苯二甲酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、及聚甲基丙烯酸甲酯的其中一种。

10.如权利要求9所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构的制作方法，其特征在于，上述至少一透明导电薄膜为一铟锡氧化物。

11.如权利要求8所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构的制作方法，其特征在于，上述至少一透明导电薄膜的厚度介于至之间。

12.如权利要求8所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构的制作方法，其特征在于，每一个纳米导电线丝为一纳米金丝、纳米银丝或纳米铜丝。

13.如权利要求8所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构的制作方法，其特征在于，每一个纳米导电线丝的线径介于1nm至10nm之间。

14.如权利要求8所述的具有纳米级导电混合物的透明导电结构的制作方法，其特征在于，上述第一种成形方式为溅镀，且上述第二种方形式为蒸镀。