[发明专利]多层硬磁体以及包括多层硬磁体的数据存储装置读写磁头

权利要求书

1.一种硬磁体，包括：

籽晶层，其包含包括Pt族金属、Fe、Mn、Ir以及Co的至少一种的第一成分；

覆层，其包含所述第一成分；以及

多层叠层，其在所述籽晶层和所述覆层之间，其中所述多层叠层包括：第一层，其包含包括Pt族金属、Fe、Mn、Ir以及Co的至少一种的第一成分和第二成分，其中所述第二成分不同于所述第一成分；形成于所述第一层之上且包含所述第二成分的第二层；以及形成于所述第二层之上且包含所述第一成分和所述第二成分的第三层。

2.如权利要求1所述的硬磁体，其特征在于，所述第一成分包括Pt族金属，且其中所述第二成分包括Fe。

3.如权利要求2所述的硬磁体，其特征在于，所述Pt族金属包括Pt。

4.如权利要求2所述的硬磁体，其特征在于，所述第一层包含Fe和所述Pt族金属的第一合金，其包含比所述第二层少的Fe原子百分比，且其中所述第三层包含Fe和Pt族金属的第三合金，其包含比所述第二层少的Fe原子百分比。

5.如权利要求4所述的硬磁体，其特征在于，所述多层叠层还包括形成于所述第一层之上的第四层和形成于所述第四层之上的第五层，其中所述第四层包含Fe和Pt族金属的第四合金、其包含比所述第一合金多但比所述第二层少的Fe原子百分比，且其中所述第五层包括Fe和Pt族金属的第五合金，其包含比所述第四合金多的Fe原子百分比。

6.如权利要求1所述的硬磁体，其特征在于，所述硬磁体的组分分布基本上关于与所述籽晶层和所述覆层大致等距且基本平行的平面对称。

7.如权利要求1所述的硬磁体，其特征在于，所述硬磁体的组分分布关于与所述籽晶层和所述覆层大致等距且基本平行的平面非对称。

8.如权利要求1所述的硬磁体，其特征在于，所述第一层、所述第二层以及所述第三层的至少之一包括约和约之间的厚度。

9.一种用于数据存储装置的读写磁头，所述读写磁头包括：

硬磁体，其包括包含Pt族金属的籽晶层、包含Pt族金属的覆层、以及所述籽晶层和所述覆层之间的多层叠层，其中所述多层叠层包括：包含Fe和Pt族金属的第一合金的第一层、形成于所述第一层上的包含Fe的第二层、以及形成于所述第二层上的包含Fe和Pt族金属的第二合金的第三层。

10.如权利要求9所述的读写磁头，其特征在于，所述第一层、所述第二层、以及所述第三层的至少之一包括厚达约的厚度。

11.如权利要求9所述的读写磁头，其特征在于，所述第一层、所述第二层、以及所述第三层的至少之一包括约和约之间的厚度。

12.如权利要求9所述的读写磁头，还包含包括自由层的读取传感器，其中所述第二层与所述自由层大致对齐。

13.如权利要求9所述的读写磁头，其特征在于，所述第一合金包含比所述第二层低的Fe原子百分比，且其中所述第三合金包含比所述第二层低的Fe原子百分比。

14.权利要求13所述的读写磁头，其特征在于，所述多层叠层还包括形成于所述第一层之上的第四层，以及形成于所述第四层之上的第五层，其中所述第四层包含Fe和Pt族金属的第四合金，其包含比所述第一合金高但比所述第二层低的Fe原子百分比，且其中所述第五层包含Fe和Pt族金属的第五合金，其包含比所述第四合金高的Fe原子百分比。

15.权利要求14所述的读写磁头，还包含包括自由层的读取传感器，其中所述第二层与所述自由层大致对齐。

16.权利要求9所述的读写磁头，其特征在于，所述硬磁体的组分分布基本上关于与所述籽晶层和所述覆层大致等距且基本平行的平面对称。

17.权利要求9所述的读写磁头，其特征在于，所述硬磁体的组分分布基本上关于与所述籽晶层和所述覆层大致等距且基本平行的平面非对称。