[发明专利]电镀工艺中的活化处理无效

专利信息
申请号: 201010537792.8 申请日: 2010-11-04
公开(公告)号: CN102254842A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 林志伟;郑明达;何明哲;刘重希 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/00;C25D7/12;C25D5/54
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电镀 工艺 中的 活化 处理
【权利要求书】:

1.一种形成装置的方法,包括:

进行一第一电镀工艺以形成一第一金属元件;

在一第一活化处理溶液中,对该第一金属元件的一表面进行一第一活化处理,该第一活化处理溶液包括在去离子水中的一第一处理剂;以及

在进行该第一活化处理步骤后,进行一第二电镀工艺,以形成一第二金属元件,且与该第一金属元件的该表面接触。

2.根据权利要求1所述的形成装置的方法,其中该第一处理剂包括酸。

3.根据权利要求2所述的形成装置的方法,其中该第一处理剂包括含柠檬酸的CX100。

4.根据权利要求1所述的形成装置的方法,其中该第一处理剂在该第一活化处理溶液中的重量百分比介于1%至40%。

5.根据权利要求1所述的形成装置的方法,其中该第一金属元件为一铜层,而该第二金属元件为一镍层。

6.根据权利要求1所述的形成装置的方法,还包括:

在进行该第二电镀工艺的步骤后,在一第二活化处理溶液中,对该第二金属元件的一表面进行一第二活化处理,该第二活化处理溶液包括在去离子水中的一第二处理剂;以及

在进行该第二活化处理步骤后,进行一第三电镀工艺,以形成一第三金属元件,且与该第二金属元件的该表面接触。

7.根据权利要求6所述的形成装置的方法,其中该第一金属元件为一铜层,该第二金属元件为一镍层,而该第三金属元件为一焊料层。

8.一种形成装置的方法,包括:

提供一基板;

在该基板上形成一凸块底层金属;

在该凸块底层金属上形成一图案化掩模,经由该掩模的一开口暴露出一部分的该凸块底层金属;

进行一第一电镀工艺以在经由该开口暴露出来的部分的该凸块底层金属形成一铜层;

在一第一活化处理溶液中对该铜层的一表面进行一第一活化处理,该第一活化处理溶液包括在去离子水中的一处理剂;

在进行该第一活化处理的步骤后,进行一第二电镀工艺以在该铜层的表面上形成一镍层;

在进行该第二电镀工艺的步骤后,在一第二活化处理溶液中对该镍层的一表面进行一第二活化处理,该第二活化处理溶液包括在去离子水中的该处理剂;以及

在进行该第二活化处理步骤后,进行一第三电镀工艺以在该镍层表面形成一焊料层。

9.根据权利要求8所述的形成装置的方法,其中该处理剂包括柠檬酸,且该处理剂在该第一及该第二活化处理溶液中的重量百分比介于1%至40%。

10.根据权利要求8所述的形成装置的方法,还包括:

在进行该第三电镀工艺步骤后,在一第三活化处理溶液中对该焊料层的一表面进行一第三活化处理,该第三活化处理溶液包括在去离子水中的该处理剂;以及

移除该掩模以及直接在该掩模下的部分该凸块底层金属。

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