[发明专利]锗硅异质结双极晶体管多指结构

权利要求书

1.一种锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：所述多指结构由多个锗硅异质结双极晶体管单体组成，在俯视面上，各所述锗硅异质结双极晶体管的发射极、基极、集电极呈周期性排列，排列方式为C/BEBC/BEBC/BEBC/…/C，其中C标示集电极、B表示基极、E表示发射极、CBEBC表示一个锗硅异质结双极晶体管单体，C为相邻的两个锗硅异质结双极晶体管单体共用；在各所述锗硅异质结双极晶体管的基极和发射极的外周都形成一集电极环绕结构，各所述集电极环绕结构是由两相邻的集电极在所述基极和所述发射极的外周相连接形成；

所述锗硅异质结双极晶体管单体的有源区由浅槽场氧隔离，包括：

一集电区，由形成于有源区中的N型杂质离子注入层构成；

一赝埋层，形成于所述有源区周侧的浅槽场氧底部，所述赝埋层通过在有源区周侧的浅槽底部注入N型杂质离子形成，所述赝埋层围绕于所述有源区的周侧且首尾连接呈一环形结构，所述赝埋层的内侧延伸进入所述有源区中并和所述集电区形成连接，所述赝埋层的内侧本身不相连接；通过在所述赝埋层上的所述浅槽场氧中制作深槽接触引出集电极；

一基区，由形成于所述集电区上的P型锗硅外延层构成，通过两侧与所述基区相连一多晶硅上制作金属接触引出基极；

一发射区，由形成于所述基区上的N型多晶硅构成，直接在所述发射区上做金属接触引出发射极。

2.如权利要求1所述的高压双极晶体管，其特征在于：所述赝埋层通过横向扩散进入有源区并和所述集电区相连接。

3.如权利要求1所述的锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：所述赝埋层的注入杂质为磷、剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、能量为2KeV～50KeV。

4.如权利要求3所述的锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：所述赝埋层注入时，有源区顶部用硬掩模层、其侧部用侧墙做掩模保护有源区，防止所述赝埋层的杂质注入到有源区。

5.如权利要求4所述的锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：所述硬掩模层由第一层氧化膜-第二层氮化膜-第三层氧化膜构成，总的厚度由赝埋层离子注入能量决定，以注入不穿透硬掩模层为准，第一层氧化膜、第二层氮化膜、第三层氧化膜的厚度范围分别为所述侧墙的厚度由赝埋层离子注入能量决定，以注入不穿透硬掩模层为准，厚度范围

6.如权利要求1所述的锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：所述集电区的N型杂质离子注入的杂质为磷，注入剂量为5e12cm^-2～1e14cm^-2。

7.如权利要求5或6所述的锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：所述集电区的N型杂质离子注入是在去除所述硬掩模层的第三层氧化膜后在全部的锗硅异质结双极晶体管区域进行。

8.如权利要求1所述的锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：所述集电区的深槽接触是在所述两个赝埋层上的场氧中形成的深槽中填入钛-氮化钛过渡金属层以及金属钨形成。

9.如权利要求8所述的锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：由所述赝埋层和深槽接触直接形成集电极的欧姆接触。

10.如权利要求8所述的锗硅异质结双极晶体管多指结构，其特征在于：在所述集电区的深槽刻蚀后在所述深槽底部自对准注入N型杂质，实现集电极的欧姆接触。