[发明专利]Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种Mn₂₇Si₄₇-Si异质结构纳米线阵列或Mn₂₇Si₄₇纳米线阵列的制备方 法，其特征是，该方法包括以下步骤：

1)采用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅 纳米线阵列；

2)将MnCl₂粉末放于氧化铝瓷舟中，将步骤1)得到的表面刻蚀出垂直 定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片悬放于MnCl₂粉末的正上方，且 硅纳米线阵列面朝下正对MnCl₂粉末，再将氧化铝瓷舟连同上述步骤1)得到 的单晶硅基片一同放入管式炉的中心；

将管式炉加热到温度为600℃后进行保温，10分钟≤保温时间＜80分钟， 或保温时间为≥80分钟；在整个加热及保温过程中通入惰性气体作为保护气 体，管式炉内的压强为70Pa；待反应完毕，管式炉降温至室温，在10分钟≤ 保温时间＜80分钟时，在单晶硅基片上得到锰硅化合物-Si异质结构纳米线阵 列，在保温时间为≥80分钟时，在单晶硅基片上得到锰硅化合物纳米线阵列；

3)将步骤2)得到的单晶硅基片从管式炉中取出，并再次放入管式炉的 中心，将管式炉加热到温度为750℃进行退火，退火时间为300分钟；整个 加热及退火过程中通入惰性气体作为保护气体，管式炉内的压强为70Pa；退 火完成后，即由锰硅化合物-Si异质结构纳米线阵列得到Mn₂₇Si₄₇-Si异质结构 纳米线阵列，由锰硅化合物纳米线阵列得到Mn₂₇Si₄₇一维纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述的通入的惰性气体的 流量为100sccm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述的悬放于MnCl₂粉末 正上方的单晶硅基片，是悬放于MnCl₂粉末的正上方5mm处。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述的Mn₂₇Si₄₇-Si异质 结构纳米线阵列中的Mn₂₇Si₄₇为单晶结构，纳米线的直径为100～300nm，长 度为20μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述的Mn₂₇Si₄₇一维纳米 线为单晶结构，纳米线的直径为100～300nm，长度为20μm。