[发明专利]检测电路以及同步整流电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种检测电路以及设有该检测电路的同步整流电路。

背景技术

目前，由于场效应管与肖特基二极管相比，场效应管的漏极与源极之间导通时的电阻(该电阻被称为导通电阻)比肖特基二极管的正极与负极之间导通时的电阻更低，而导通电阻越低则对电路所造成的电能损耗也越少，所以用以实现交流电至直流电的高效率转化的整流电路中越来越流行通过使用场效应管代替肖特基二极管进行整流。

在现有的使用场效应管进行交流电至直流电转换的同步整流电路中，需要使用检测芯片来检测场效应管的漏极和场效应管的源级之间电压的电压值或检测流过场效应管漏极和场效应管的源级的电流值，从而根据电压值或电流值的大小来控制场效应管的漏极与场效应管的源极之间是导通还是断开。

以检测芯片通过检测场效应管的漏极和场效应管的源级之间电压的电压值的大小来控制场效应管的漏极与场效应管的源极之间是导通还是断开为例，当检测芯片检测出场效应管的漏极和场效应管的源级之间电压的电压值之后，会将该电压值与预先设定的截止阀值以及导通阀值进行对比，导通阀值大于截止阀值，若检测芯片所检测到的电压值大于导通阀值，则检测芯片会对场效应管的栅极发送高电平信号，场效应管的栅极接收到高电平信号后，会控制场效应管的漏极与场效应管的源极之间导通，若检测芯片所检测到的电压值小于截止阀值，则检测芯片会对场效应管的栅极发送低电平信号，场效应管的栅极接收到低电平信号后，会控制场效应管的漏极与场效应管的源极之间截止。

但是，从图1所示场效应管Q的等效模型电路图可知：由于场效应管Q不可避免的存在封装引线电感L1以及导通电阻R1，封装引线电感L1的存在会导致检测场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间导通时，场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间电压的电压值非常困难，这主要是因为检测场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间电压的电压值时，需要在场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S的引线之外进行检测，检测封装引线电感L1与场效应管Q的源极S之间电压的电压值会受到封装引线电感L1的影响，所以检测出来的电压值与场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间电压的有效电压值，(即，理想的电压值，或称理论上的电压值)差别较大，若直接检测导通电阻R1与场效应管Q的源极S之间电压的电压值，则可以避开封装引线电感L1的影响，故而导通电阻R1与场效应管Q的源极S之间电压的电压值与场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间电压的理想的电压值更为接近，所以导通电阻R1与场效应管Q的源极S之间电压的电压值通常可以被认为是场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间有效电压值。

如图2所示，图2中a线表示如图1所示场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间的有效电压，即B点至场效应管Q的源极S之间电压的电压值的变化曲线，b线表示场效应管Q的封装引线电感L1上的电压值的变化曲线，c线表示在场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S的引线之外进行检测时，所检测出的场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间电压即A点至场效应管Q的源极S之间电压的电压值的变化曲线。

由图2中可以看出：c线的相位早于a线的相位，当检测芯片根据所检测出的c线所示的电压值的大小来控制场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间是导通还是断开时，场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S之间电压的电压值会更早的低于预先设定的截止阀值(例如0V)，进而会导致场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S提前截止，场效应管Q的漏极D与场效应管Q的源极S提前截止时，同步整流电路内的电流会流过场效应管Q的体二极管，由于场效应管Q的体二极管的电阻远大于场效应管Q的导通电阻的阻值，所以会对同步整流电路造成较大的电能损耗。

本发明人在实现本发明的过程中发现，现有技术至少存在以下问题：