[发明专利]一种高真空陶瓷LCC封装方法

权利要求书

1.一种高真空陶瓷LCC封装方法，其特征在于步骤依次如下：

(1)对待封装零件进行等离子清洗；

(2)共晶贴片，把微结构芯片(5)贴装至陶瓷LCC(3)上；

(3)引线互连，将微结构芯片(5)与陶瓷LCC(3)电气连接；

(4)将吸气剂(4)激活；

(5)共晶封接，把密封盖板(1)与陶瓷LCC(3)封接在一起。

2.根据权利要求1所述的一种高真空陶瓷LCC封装方法，其特征在于：步骤(1)所采用的等离子清洗方法为射频等离子清洗方法，不同零件的射频等离子清洗参数不同，依据清洗零件的材料和结构形式不同而不同，一般情况下，等离子清洗功率为100W-400W，清洗时间为2min-5min。

3.根据权利要求1所述的一种高真空陶瓷LCC封装方法，其特征在于：步骤(2)共晶贴片步骤为：

a.把微结构芯片(5)、贴片焊料(7)和陶瓷LCC(3)摆放在贴片专用工装上，并装入贴片设备真空腔室内；

b.对微结构芯片(5)施加压力，该压力大小根据贴片区域面积不同而不同，贴片区域面积越大，施加压力越大；

c.通过执行温控曲线对贴片焊料(7)进行加热，具体温控曲线要依据贴片焊料(7)的共晶温度点和共晶时间来决定，此外，在加热至共晶后保温时，增加真空腔室内的压力。

4.根据权利要求1所述的一种高真空陶瓷LCC封装方法，其特征在于：步骤(3)采用WESTWOND7700E金丝球焊接机进行引线互连，完成互联金丝(6)的焊接，金丝球焊接参数要视具体情况确定，一般可以如下：焊接压力30gf，焊接时间200ms，焊接功率1.5W，焊接温度150℃。

5.根据权利要求1所述的一种高真空陶瓷LCC封装方法，其特征在于：步骤(4)吸气剂激活步骤为：

a.将封装零件放入真空室，对封装零件进行除气，去除零件表面吸附的气体；

b.根据具体需要选用吸气剂(4)的用量，封装体越大，吸气剂(4)用量越大，封装体保存年限越长，吸气剂(4)用量越大；确定激活参数，激活参数包括激活温度300℃-600℃、激活时间30min-60min以及激活真空度小于10^-2Pa；

c.分离陶瓷LCC(3)底座和带有吸气剂(4)的密封盖板(1)，使带有吸气剂(4)的密封盖板(1)和带有封接焊料(2)的陶瓷LCC(3)底座分别位于高温区和低温区，高温区温度大于等于500℃，低温区温度小于等于200℃；

d.在激活环境真空度满足要求的情况下执行吸气剂激活温控曲线。

6.根据权利要求1所述的一种高真空陶瓷LCC封装方法，其特征在于：步骤(5)共晶封接步骤为：

a.在吸气剂(4)激活后，打开吸气剂(4)激活时所用隔热板，把陶瓷LCC(3)与密封盖板(1)结合在一起，并施加相应的压力，该压力大小根据封接区域面积不同而不同，封接区域面积越大，施加压力越大；

b.执行封接焊料(2)共晶温控曲线，完成共晶封接，具体温控曲线要依据封接焊料(2)的共晶温度点和共晶时间来决定。

7.根据权利要求3或6所述的一种高真空陶瓷LCC封装方法，其特征在于：贴片焊料(7)和封接焊料(2)选用同一种焊料，例如金锡焊料、金锗焊料。