[发明专利]发光二极体封装构造

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极体光源，尤其涉及一种发光二极体光源的封装构造。

背景技术

发光二极体(Light-emitting Diode，LED)是由半导体材料制成的固态发光组件，其中所述半导体材料为III-V族化学元素组成的化合物，如：磷化镓(GAP)、砷化镓(GaAs)等化合物。发光二极体的发光原理是将电能转化为光能，具体而言，是对半导体化合物施加电压，使得半导体内的电子迁移，形成电子空穴对，在电子与空穴的结合过程中，部分能量会以光的形式释出，产生发光的效果。

发光二极体具有如下优势：反应速度快、体积小、耗电低、耐震、污染低、和可靠度高，容易配合应用上的需要制成极小和数组式的组件。但是，因为发光二极体是固态发光组件，即利用发光二极体芯片通电，量子级态跃迁发出光，在发光的过程中，所述发光二极体芯片内的光能量并不能全部传至外界，部分光能在芯片内部及封装体内被吸收，形成热。该部分热量的积累一方面会对发光二极体芯片效率及寿命造成损伤，另一方面随着温度的增加，电能转换为光的效率会进一步减小。所以如何实现有效散热问题是业界关注的热点。

现有技术中发光二极体封装构造一般由基座，发光二极体芯片和罩体组成，罩体内一般填充有透明硅脂材料封装，用于对发光二极体进行散热。但是该种封装构造的散热方式单一，并不能够有效将发光二极体产生的热量及时有效的散出，如此导致现有技术发光二极体的发光效率不高，使用寿命短。

发明内容

针对现有技术发光二极体封装构造散热效果不佳导致发光强度降低、缩短使用寿命的问题，本发明提供一种散热效果好，且发光强度高、寿命长的发光二极体封装构造。

一种发光二极体封装构造，其包括一基座和一发光二极体芯片及一金属芯，该金属芯一端与该发光二极体芯片电连接，同时该金属芯传导自该发光二极体芯片产生的热量。

作为上述发光二极体封装构造的进一步改进，该基座是陶瓷材料制作的基座。

作为上述发光二极体封装构造的进一步改进，该基座包括一收容孔，该金属芯对应收容于该收容孔，并与该收容孔内表面相抵接。

作为上述发光二极体封装构造的进一步改进，该发光二极体芯片包括一晶体和一包覆该晶体的封装层，该封装层固定该晶体与该基座其中一表面，且该晶体与该金属芯电连接。

作为上述发光二极体封装构造的进一步改进，该基座还包括有一框体，该框体环绕该发光二极体芯片，该框体固定该发光二极体芯片于该基座表面。

作为上述发光二极体封装构造的进一步改进，该框体的轮廓为方形框体，其内轮廓与该发光二极体芯片的外轮廓对应抵接。

作为上述发光二极体封装构造的进一步改进，该框体的轮廓为圆形框体，其内轮廓与该发光二极体芯片的外轮廓对应抵接。

作为上述发光二极体封装构造的进一步改进，该发光二极体芯片还包括一电极导线，该电极导线与该发光二极体芯片对应电连接，使得该电极导线及该金属芯分别作为该发光二极体芯片的两个电极。

作为上述发光二极体封装构造的进一步改进，该发光二极体还包括一罩体，该罩体配合该基座围成一收容空间以收容该发光二极体芯片，该收容空间内填充导热物体。

作为上述发光二极体封装构造的进一步改进，该导热物体为氦气或氢气。

相较于现有技术，本发明的该发光二极体封装构造，设置一金属芯与该发光二极体体芯片电连接，作为该发光二极体芯片的其中一个电极实现对该发光二极体芯片的电信号传输，同时该金属芯自身具有良好的热传导性能，其与该发光二极体芯片相互抵接，使得该发光二极体芯片在工作过程中所产生的热量及时快速传输至该金属芯，然后经由该金属芯迅速传导至外界，避免热量聚集，保证该发光二极体封装构造的可靠度，减少因热量聚集给该发光二极体所带来发光强度降低，寿命缩短等缺陷，大大提高产品可靠度。

同时，在该发光二极体封装构造中，设置一框体固定该发光二极体芯片，加强该发光二极体芯片的固定同时，凭借其自身的高热传导性及高电绝缘性，进一步加速该发光二极体的热量散失，提高其产品可靠度。

附图说明

图1是本发明的发光二极体第一实施方式结构示意图。

图2是图1所示发光二极体的基座结构示意图。

图3是本发明的发光二极体第二实施方式的基座结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行说明。

请同时参阅图1和图2，其中图1是本发明发光二极体封装构造第一实施方式的立体结构示意图，图2是图1所示发光二极体的基座结构示意图。