[发明专利]发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010538785.X 申请日: 2010-11-05
公开(公告)号: CN102088057A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 张起连 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 田军锋;邹伟艳
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

本申请要求2009年11月12日提交的韩国专利申请No.10-2009-0109369的优先权,该韩国专利申请通过引用而将其整体包含在本文中。

技术领域

实施方式涉及一种发光装置以及一种用于制造该发光装置的方法。

背景技术

发光装置(LED)是将电流转化为光的半导体发光装置。最近,由于LED的亮度的逐渐增加,作为显示光源、汽车光源以及照明光源的发光装置的使用一直在增加。

最近,已经开发一种高功率发光芯片,该高功率发光芯片可用于通过产生短波长光例如蓝光或绿光而实现全彩。为此,具有各种颜色的发光二极管可以有效地组合,并且可以通过吸收一部分从发光芯片输出的光以及将输出与所述光的波长不同的波长的磷光体施加在发光芯片上,可以实现发射白光的发光二极管。

发明内容

实施方式提供了一种发光装置和一种用于制造该发光装置的方法,其可以容易地且精确地控制磷光体在发光装置上的分布位置和分布程度,并且防止在加工时磷光体材料的浪费。

根据实施方式的一个方面,提供了一种发光装置和一种用于制造该发光装置的方法,其可以提高发光装置芯片的表面上的光效率,并且可以除去阻碍全反射的空气层。

根据本发明的示例性实施方式的发光装置包括:第一传导性半导体层;有源层,该有源层形成在第一传导性半导体层上;第二传导性半导体层,该第二传导性半导体层形成在有源层上;以及磷光体层,该磷光体层形成在第二传导性半导体层上;其中,磷光体层包括具有多个空腔的磷光体接收构件和固定在空腔中的磷光体颗粒。

根据本发明的另一个示例性实施方式的制造发光装置的方法包括:在基板上形成第一传导性半导体层;在第一传导性半导体层上形成有源层;在有源层上形成第二传导性半导体层;在第二传导性半导体层上形成具有多个空腔的磷光体接收构件;以及通过将磷光体颗粒固定在磷光体接收构件的多个空腔中而形成磷光体层。

根据实施方式,提供了发光装置和用于制造该发光装置的方法,其可以容易地且精确地控制磷光体在发光装置上的分布位置和分布程度,并且防止在加工时磷光体材料的浪费。

此外,根据实施方式的一个方面,提供了发光装置和用于制造该发光装置的方法,其具有在发光装置芯片的表面上的提高的光效率,并且可以除去阻碍全反射的空气层。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施方式的发光装置的立体图;

图2至图4是根据本发明的实施方式的制造发光装置的视图;

图5A至5H是示出根据本发明的实施方式的发光装置的磷光体颗粒的示例性视图;图6是示出根据本发明的其它实施方式的发光装置的立体图;以及

图7是根据本发明的其它实施方式的制造发光装置的视图。

具体实施方式

在下文中,将参照附图详细地描述根据实施方式的发光装置和制造该发光装置的方法。对于实施方式的描述,在描述成“在基板、每一层(薄膜)、部分、垫或图案上”或“在基板、每一层(薄膜)、部分、垫或图案下”形成每一层(薄膜)、部分、图案或结构的情况下,“在...上”或“在...下”包括所有“直接”或“间接”形成的物体。此外,将基于附图描述关于“在每一层上”或“在每一层下”的标准。为描述方便起见或为了明确描述,在附图中,粗略地、夸大地或简要地示出每一层的厚度或尺寸。此外,每个元件的尺寸不完全反应真实尺寸。

图1是示出根据本发明的实施方式的发光装置的立体图。

如图1所示,发光装置100包括:基板110;第一传导性半导体层120,第一传导性半导体层120形成在基板110上;有源层130,有源层130形成在第一传导性半导体层120上;第二传导性半导体层140,第二传导性半导体层140形成在有源层130上;以及磷光体层150,磷光体层150形成在第二传导性半导体层140上。

基板100可以包括Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP以及Ge中的至少一个,并且可以具有传导特性。此外,通过在外延生长之后除去基板,基板100也可以应用于竖直芯片。在这种情况下,物理研磨、激光剥离(LLO)、化学湿法蚀刻等可以除去基板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010538785.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code