[发明专利]一种抗还原陶瓷介质材料及其制备方法有效
申请号: | 201010538862.1 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN102030526A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 李太坤;林康;张军志;邹海雄 | 申请(专利权)人: | 厦门松元电子有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人: | 陈建华 |
地址: | 361022 福建省厦门市集*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 还原 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种抗还原陶瓷介质材料,其特征在于:由主晶相成分及改性添加剂组成;以固相法合成的Ba1-xMgxTi1-ySiyO3,其中0.03≤x≤0.15,0.02≤y≤0.10作为主晶相成分,主晶相成分在介质材料的配方组成中所占的摩尔份数为93~98 mol%;
改性添加剂选自CaO、SrO、Y2O3、ZrO2、Eu2O3、MnO2、SiO2、Al2O3、ZnO中的三种或三种以上;改性添加剂中的各种氧化物在所述介质材料中所占的摩尔份数为:CaO占0.2~3 mol%、SrO占0~2 mol%,Y2O3占0~2 mol%,,ZrO2占0~1 mol%,Eu2O3占0~1mol%,MnO2占0.1~0.8 mol%,SiO2占0~3 mol%,Al2O3占0~2 mol%,ZnO占0~3 mol%;改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔份数为2~7 mol%。
2.一种抗还原陶瓷介质材料的制备方法,其特征是:所述主晶相成分Ba1-xMgxTi1-ySiyO3,其中0.03≤x≤0.15,0.02≤y≤0.10的获得,是把BaCO3、MgO、SiO2和TiO2置于球磨机中,按重量比为物料:去离子水=1:1.0~2.0的比例加入去离子水进行湿法球磨混合均匀,然后用喷雾干燥塔或其它干燥设备进行干燥,在空气气氛炉中1050℃~1200℃的温度范围煅烧1.5~6小时合成;与权利要求1中的改性添加剂一起,按配方组成的摩尔比称重,置于超细磨机中,按重量比为物料:去离子水=1:0.9~1.8的比例加入去离子水进行湿法球磨;然后把球磨好的物料进行干燥,获得本发明的抗还原陶瓷介质材料。
3.根据权利要求2所述一种抗还原陶瓷介质材料的制备方法,其特征是:所述抗还原陶瓷介质材料具有至少2500以上的介电常数;匹配镍或镍合金内电极;适合在还原气氛中1200℃~1280℃的温度范围进行烧结,以便制成多层陶瓷电容器。
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