[发明专利]太阳能光伏电池组件背板复合膜及其制备方法无效
申请号: | 201010538989.3 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN102468353A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 谢学民;尹陆生;赵咏梅;李栋;段连群;黄晓辉;吴震;董红霞;陈思伦;吴建华 | 申请(专利权)人: | 天津市天塑科技集团有限公司技术中心 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B27/06;B32B27/30;B32B27/36;H01L31/18 |
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地址: | 300384 天津市华苑产业区海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 电池 组件 背板 复合 及其 制备 方法 | ||
(一)技术领域
本发明涉及一种用于太阳能光伏电池中的组件及其制备方法,具体涉及一种太阳能光伏电池组件背板复合膜及其制备方法。
(二)背景技术
太阳能是一种清洁、安全且又取之不尽用之不竭的可再生能源,随着能源危机的加剧和环境保护的需要,太阳能的开发和利用受到了越来越多的关注,在这方面,太阳能的光伏转换是近年来发展最快的研究领域。
太阳能光伏电池组件背板复合膜是太阳能电池的重要组件,它用于保护太阳能电池板及相关部件免受室外环境的影响。太阳能光伏电池组件背板复合膜具有耐老化、耐高低温、耐溶剂腐蚀、耐污疏水等特点,能有效防止氧气、水汽、腐蚀性气液及各种污染物对太阳能电池侵蚀。
目前,我国太阳能光伏电池组件背板复合膜中应用最广泛的种类为TPT型背板膜,它是由上下两层聚氟乙烯(PVF)或聚偏氟乙烯(PVDF)和中间层聚酯(PET)三层膜复合构成,其中的重要原料聚氟乙烯和聚偏氟乙烯价格昂贵且严重依赖进口,这严重制约了我国太阳能光伏电池产业发展。
(三)发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足之处,提供一种成本相对低廉、原料易得、国产化程度高且综合性能优异的太阳能光伏电池组件背板复合膜。
本发明所要解决的技术问题还在于提供一种所述太阳能光伏电池组件背板复合膜的制备方法。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:
所述太阳能光伏电池组件背板复合膜由七层膜复合而成。
0.028~0.040mm厚聚四氟乙烯薄膜,其上下表面各附有一层亲水膜(亲水膜厚约10~200nm);
0.17~0.35mm厚聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜;
0.028~0.040mm厚聚四氟乙烯薄膜,其上下表面各附有一层亲水膜(亲水膜厚约10~200nm)。
本发明的聚四氟乙烯(PTFE)是一种综合性能优异的特种功能塑料,有“塑料王”的美誉,其薄膜制品有非常优秀的耐老化、耐腐蚀、绝缘等性能,应用领域十分广泛。与聚偏氟乙烯(PVDF)和聚氟乙烯(PVF)相比
优选地,所述太阳能光伏电池组件背板复合膜由下述七层材料复合而成:
0.035mm厚聚四氟乙烯薄膜(其上下表面各附有一层亲水膜,厚约10~200nm);
0.30mm厚聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜;
0.035mm厚聚四氟乙烯薄膜(其上下表面各附有一层亲水膜,厚约10~200nm);
优选地,所述聚四氟乙烯薄膜由精密旋削机旋削加工制得。
优选地,所述聚四氟乙烯薄膜经低温等离子表面处理设备进行表面处理(处理频率13.56MHz)。
优选地,所述亲水膜通过对聚四氟乙烯薄膜进行低温等离子表面处理制得,厚度为10~200nm。
优选地,聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜由流延法加工制得。
所述太阳能光伏电池组件背板复合膜的制备方法,包括下述步骤:
在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上下表面分别涂覆胶黏剂;
将聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜置于两层聚四氟乙烯薄膜之间;
将三层薄膜热压粘合固化制得本太阳能光伏电池组件背板复合膜。
优选地,所述聚四氟乙烯薄膜由精密旋削机旋削加工制得。
优选地,所述聚四氟乙烯薄膜经低温等离子表面处理设备进行表面处理(处理频率13.56MHz)。
优选地,所述聚四氟乙烯薄膜由下述方法制得:聚四氟乙烯树脂依次经干燥、制坯、烧结、旋削、低温等离子表面处理即制得聚四氟乙烯薄膜及亲水膜。
优选地,所述亲水膜通过对聚四氟乙烯薄膜表面进行13.56MHz低温等离子表面处理制得,亲水膜厚度为10~200nm。
优选地,聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜由流延法加工制得。
本发明的太阳能光伏电池组件背板复合膜,以廉价易得的聚四氟乙烯代替了价格昂贵的聚偏氟乙烯和聚氟乙烯,不但大幅降低了成本,而且提高了太阳能光伏电池组件背板复合膜的国产化程度。此外,聚四氟乙烯膜经过低温等离子表面处理后,在薄膜上下表面生成了亲水膜,由此PTFE薄膜表面的可粘性大幅增强,这使它与PET膜层有良好的粘接性能,同时也使本背板复合膜能更稳定的与太阳能光伏电池胶膜固连,提高太阳能光伏电池整体的稳定性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的