[发明专利]用于制造电子部件的接触区域的方法无效
申请号: | 201010539051.3 | 申请日: | 2010-09-17 |
公开(公告)号: | CN102074499A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | A·梅茨;S·巴古斯;S·道韦;T·德罗斯特;P·罗特;A·特珀 | 申请(专利权)人: | 肖特太阳能股份公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/268;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;李家麟 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 电子 部件 接触 区域 方法 | ||
1.一种用于构造电器件的衬底的至少一个局部接触区域以使该接触区域与连接器接触的方法,其中衬底在接触侧配备有由铝构成的或包含铝的经烧结的多孔层,
其特征在于,
在要构造的接触区域中通过集中的电磁辐射对经烧结的多孔层进行致密化和/或去除。
2.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
对经烧结的多孔层施加波长λ的集中的电磁辐射,其中200nm≤λ≤11000nm。
3.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
对在要构造的接触区域中的多孔层施加波长λ的激光辐射,其中λ≥800nm,优选λ≥1000nm,尤其是在近红外范围中。
4.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
为了产生集中的电磁辐射,使用钕掺杂的具有波长λ=1064nm的固体激光器(22)或者钇铝石榴石固体激光器或者钒酸钇固体激光器(22),尤其是钕掺杂的钇铝石榴石激光器(22)或者钕掺杂的钒酸钇激光器(22)。
5.根据权利要求2或3所述的方法,
其特征在于,
激光器(22)发射如下波长的激光辐射(24),在该波长的情况下经烧结的多孔层(12)的光学吸收为至少0.5%,优选在10%到100%之间的范围中。
6.根据权利要求2或3所述的方法,
其特征在于,
使用激光器(38),该激光器发射如下波长的激光辐射(36),该波长被多孔层(12)吸收以加热该多孔层(12),使得多孔材料在被施加的激光辐射的区域中蒸发以形成接触区域(20)。
7.根据权利要求2或3所述的方法,
其特征在于,
为了构造接触区域(20),使用脉冲工作方式或Q开关工作方式的激光器。
8.根据权利要求2或3所述的方法,
其特征在于,
为了构造接触区域(20),使激光束具有“大礼帽”状的射束轮廓。
9.根据权利要求2或3所述的方法,
其特征在于,
为了影响激光束(24)的射束,在激光器(22)和层(14)之间布置射束变换设备如折射或衍射光学装置或光圈。
10.根据权利要求7所述的方法,
其特征在于,
激光器(22)通过声光开关来脉冲化。
11.根据上述权利要求至少之一所述的方法,其中将太阳能电池用作电子部件,该太阳能电池包括由半导体材料构成的第一层(10)作为衬底、在第一层上延伸的第二层(12)作为由铝构成或包含铝的经烧结的多孔层、至少两个在第一层和第二层之间延伸的由第一层和第二层的材料构造的中间层(14,16)——其中朝向第二层(12)的第一中间层(16)能够包含由第一层和第二层的材料构成的共晶混合物(18)、以及形成第一层的导电连接的接触区域(20),其中在对要构造的接触区域中的经烧结的多孔层进行致密化和/或去除之后,将该接触区域与连接器尤其是通过焊接——如超声焊接——导电地连接。
12.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
将经烧结的多孔层部分去除或者部分致密化。
13.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
将经烧结的多孔层至少在一个区域中致密化使得产生不同密度的区域。
14.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
将经烧结的多孔层致密化使得形成密度梯度。
15.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
将经烧结的多孔层在至少一个区域中致密化,使得产生不同密度的至少两个层。
16.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
将经烧结的多孔层在要构造的接触区域中首先在外侧去除并且随后对留下的区域进行致密化。
17.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
在将多孔层致密化和/或去除之后将一个或多个层施加到相应的区域上,借助所述一个或多个层进行接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肖特太阳能股份公司,未经肖特太阳能股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010539051.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造