[发明专利]一种多电平变流器直流电压中性点偏移抑制电路及抑制方法有效
申请号: | 201010539280.5 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN102064673A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 李木;朱冬宏;田群 | 申请(专利权)人: | 金海新源电气江苏有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 何朝旭 |
地址: | 212215 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电平 变流器 直流 电压 中性 偏移 抑制 电路 方法 | ||
1.一种多电平变流器直流电压中性点偏移抑制电路,其特征在于:含有至少四个阻容并联单元,所述各阻容并联单元相互串联在直流电源两端之间,相邻阻容并联单元之间分别接可控开关器件的一端,各可控开关器件的另一端并联在一起,并引出作为多电平变流器负载中性点的电压输出端。
2.根据权利要求1所述的多电平变流器直流电压中性点偏移抑制电路,其特征在于:所述各电阻的阻值以及各电容的容值分别按序递增。
3.根据权利要求1所述的多电平变流器直流电压中性点偏移抑制电路,其特征在于:所述各电阻的阻值相等,所述各电容的容值相等。
4.根据权利要求2或3所述的多电平变流器直流电压中性点偏移抑制电路,其特征在于:所述可控开关器件为双向晶闸管或反并联结构的IGBT、IGCT、GTO、MOSFET、SET双向开关器件之一。
5.根据权利要求3所述的多电平变流器直流电压中性点偏移抑制电路,其特征在于:所述阻容并联单元个数为偶数2n,n为自然数且大于1。
6.根据权利要求3所述的多电平变流器直流电压中性点偏移抑制电路,其特征在于:所述阻容并联单元个数为奇数2n+1,n为自然数且大于1。
7.根据权利要求5或6所述多电平变流器直流电压中性点偏移抑制电路的抑制方法,其特征在于:当连通按序排列可控开关中的第i个可控开关时(i为2~2n-1的自然数),如所述电压输出端的输出电压电位小于预设中性点电压电位下限阈值,则断开第i个可控开关,连通其下一可控开关;如所述电压输出端的输出电压电位大于预设中性点电压电位上限阈值,则断开第i个可控开关,连通其上一可控开关;以此规则逐一切换可控开关调试,直至达到所述电压输出端的输出电压电位与理想中性点电位最接近为止。
8.根据权利要求7所述多电平变流器直流电压中性点偏移抑制电路的抑制方法,其特征在于:所述中性点电压电位下限阈值按:1[UPN/2-UPN/k]确定;所述中性点电压电位上限阈值按:2[UPN/2+UPN/k]确定;式中UPN为直流侧电压值,k为串联的阻容单元数。
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