[发明专利]一种有机发光二极管显示装置无效
申请号: | 201010540028.6 | 申请日: | 2010-11-02 |
公开(公告)号: | CN102097450A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 张祖强;常鼎国 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 显示装置 | ||
技术领域
本发明是有关于一种有机发光二极管显示装置,且特别是有关于一种具有有机导电层的有机发光二极管显示装置。
背景技术
随着科学技术的不断发展,人们对显示器的要求越来越高。OLED(Organic Light-Emitting Display,有机发光显示器)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的现象。OLED发光原理是用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。辐射光可从ITO一侧观察到,金属电极膜同时也起了反射层的作用。使用OLED的显示面板无论在画质、效能及成本上,先天表现都较薄膜晶体管液晶显示器优秀很多。
然而OLED显示器在发展上一直遇到一个问题,那就是所谓的电阻压降(IR DROP)。电阻压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。随着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄,导致它的电阻值上升,所以在整个芯片范围内将存在一定的电阻压降。
电阻压降会导致OLED的阳极(或阴极)信号在主动区(Active Area)不同位置所看到的电压不同,这会在显示画面上看到亮度不均的现象。传统上会在主动区四周设计一个由金属层所组成的导体线框(OVDD line ring),藉由此线框让主动区四周进入到主动区的电压信号得以接近,降低电阻压降的影响。
然而实际上,导体线框的大小会影响面板的边框尺寸,边框的问题在中小尺寸显示装置的应用上尤其重要,因此不可以无限制增加导体线框的大小,而且在主动区内部也存在有更甚于外侧的电阻压降问题,因此如何消除主动区整体的电阻压降是OLED显示器发展所面对的重要问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的一个方面在于提供一种有机发光二极管显示装置,包含一基板,其具有一主动像素阵列,其中每一像素都是由相邻的数据线与扫描线所围成,每一所述像素至少包含两个薄膜晶体管、由两层金属层所形成的一储存电容、一有机发光二极管,其特征在于,所述显示装置还包含:一导体线框,设置于所述基板上,与每一像素的两个薄膜晶体管的其中之一的源极或漏极电性连接,且环绕所述主动像素阵列所在区域;一有机导电层,覆盖所述主动像素阵列,且与所述导体线框连接;以及一保护结构,覆盖所述有机导电层,包含交互堆叠的多个有机层与无机层。
依据本发明一实施例,有机发光二极管颜色为红、绿、蓝、青绿、洋红、黄、白其中之一者。
依据本发明一实施例,所述导体线框是一电压线框(OVDD line ring)。
依据本发明一实施例,所述有机发光二极管上覆盖有一接地电极层(OVSS)。
依据本发明一实施例,所述导体线框是金属或透明导电材料。
本发明的另一个方面在于提供一种有机发光二极管显示装置,包含一基板,其具有一主动像素阵列,其中每一像素都是由相邻的数据线与扫描线所围成,每一所述像素至少包含两个薄膜晶体管、由两层金属层所形成的一储存电容、一有机发光二极管,其特征在于,所述显示装置还包含:一导体线框,设置于所述基板上,环绕所述主动像素阵列所在区域;一有机导电层,覆盖所述主动像素阵列,通过多个孔洞与所述导体线框连接,在主动像素阵列所在区域通过所述孔洞与一电极连接;以及一保护结构,覆盖所述有机导电层,包含交互堆叠的多个有机层与无机层。
依据本发明一实施例,所述电极层是金属或透明导电材料。
依据本发明一实施例,所述有机发光二极管颜色为红、绿、蓝、青绿、洋红、黄、白其中之一者。
应用本发明的优点在于,利用有机导电层与现有的导体线框电性连接的方式相较于传统的单纯使用导体线框的方式可以降低整体的等效电阻值,消除整个主动区内的电阻压降,使OLED显示装置的亮度更为均匀。
附图说明
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的详细说明如下:
图1是依据本发明一实施例的有机发光二极管显示装置的俯视示意图;
图2是依据本发明一实施例的有机发光二极管显示装置的局部剖视图;
图3是依据本发明又一实施例的有机发光二极管显示装置的俯视示意图;以及
图4是依据本发明又一实施例的有机发光二极管显示装置的局部剖视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的