[发明专利]用氩等离子体处理金属表面方法无效
申请号: | 201010540251.0 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN101974298A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 吴晓京;刘立龙;张昕;卢茜;朱玮;周乾飞;杜晓琴 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C09J5/02 | 分类号: | C09J5/02;H01L21/56;H05H1/30;C23C8/36 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 金属表面 方法 | ||
1.一种金属表面处理方法,其特征在于具体步骤为:利用等离子体浸没式离子注入法对待处理件进行表面处理,所述的等离子体为氩等离子体,所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。
2.如权利要求1所述的金属表面处理方法,其特征在于:所述的等离子体浸没式离子注入法采用下述步骤进行:在一腔体中,在氩等离子体的气氛中,在所述待处理件上加载负偏压脉冲,将所述等离子体注入所述待处理件的表面。
3.如权利要求1或2所述的金属表面处理方法,其特征在于:所述的等离子体浸没式离子注入的具体操作步骤为:(1)在腔体中,将所述待处理件置于基台上,所述待处理件与所述基台电学联通;(2)将腔体抽真空至10-3Pa量级;(3)打开气体源,向腔体中通入氩气体;(4)通过射频源在含有所述气体的腔体内产生等离子体;(5)通过偏压源产生负偏压脉冲,将该负偏压脉冲加载于所述待处理件上,用氩等离子体处理所述待处理件表面。
4.如权利要求3所述的金属表面处理方法,其特征在于:步骤(3)中所述腔体中通入氩气体后的气压维持在0.1Pa~1Pa。
5.如权利要求4所述的金属表面处理方法,其特征在于:步骤(3)中向所述腔体中通入氩气体,控制所述气体的流量为1毫升/秒~100毫升/秒。
6.如权利要求3所述的金属表面处理方法,其特征在于:所述射频源的功率为50W~600W。
7.如权利要求2~6之一所述的金属表面处理方法,其特征在于:所述负偏压的电压值为1KV~60KV;所述负偏压脉冲的频率为50Hz~150Hz;所述负偏压脉冲的宽度为5微秒~50微秒;所述注入的时间为1分钟~180分钟。
8.如权利要求1~7之一所述的金属表面处理方法,其特征在于:所述的金属为镍或铜,所述的镀有该金属的制品为镀镍的铜。
9.一种由权利要求1~8中任一项所述的方法得到的金属或镀有该金属的制品。
10.如权利要求9所述的镀有该金属的制品为镀镍的铜引线。
11.如权利要求9所述的金属或镀有该金属的制品作为引线框架材料的应用,所述的金属为镍或铜。
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