[发明专利]光刻曝光机及光刻曝光方法有效
| 申请号： | 201010540433.8 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102466978A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张辰明;刘志成;杨要华;胡骏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻曝光机，包括依次设置的光源、第一掩膜挡板、掩膜板以及透镜，所述第一掩膜挡板上设有曝光孔，其特征在于，还包括设于所述掩膜板与透镜之间用于遮挡衍射光的第二掩膜挡板。
2.如权利要求1所述的光刻曝光机，其特征在于，所述第二掩膜挡板上设有与第一掩膜挡板相同的曝光孔。
3.如权利要求2所述的光刻曝光机，其特征在于，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板完全相同。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的光刻曝光机，其特征在于，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板相对位置始终保持一致。
5.一种光刻曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：
发射光束；
使用设有曝光孔的第一掩膜挡板遮挡所述光束，使所述光束的部分通过所述第一掩膜挡板的曝光孔；
通过曝光孔的部分光束照射掩膜板；
使用第二掩膜挡板遮挡通过所述掩膜板后的衍射光；
用透镜将遮挡衍射光后的光束透射到晶片上。
6.如权利要求5所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述第二掩膜挡板上设有与第一掩膜挡板相同的曝光孔。
7.如权利要求6所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板完全相同。
8.如权利要求5-7中任意一项所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板相对位置始终保持一致。
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