[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

基板，其包含第一导电类型的第一杂质，并且由晶体半导体形成；

第一场区，其位于所述基板的入射表面上，并且包含第二导电类型的第二杂质；

射极区，其包含第三导电类型的第三杂质，由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的所述入射表面相对的非入射表面上；

第一电极，其电连接到所述射极区；以及

第二电极，其电连接到所述基板。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述基板和所述第一场区之间的第一钝化层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一场区中包含的所述第二杂质的浓度高于所述基板中包含的所述第一杂质的浓度。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述第一场区中包含的所述第二杂质的浓度是大约1×10¹⁶原子/cm³到1×10²¹原子/cm³。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述第一场区具有大约1nm到20nm的厚度。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层具有大约2nm到20nm的厚度。

7.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一场区中包含的所述第二杂质的浓度随着所述第一场区的厚度而变化。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，从所述第一钝化层和所述第一场区之间的接触面到所述第一场区的上表面，所述第一场区中包含的所述第二杂质的浓度增加。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述第一场区的所述第二杂质的最小浓度是大约1×10¹⁰原子/cm³，并且所述第一场区的所述第二杂质的最大浓度是大约1×10²¹原子/cm³。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述第一场区具有3nm到30nm的厚度。

11.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层具有大约1nm到10nm的厚度。

12.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层由本征非晶硅形成。

13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一场区由非晶硅、非晶硅氧化物或非晶硅碳化物形成。

14.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括第二场区，所述第二场区与所述射极区隔开地位于所述基板的所述非入射表面。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中，所述第二场区具有与所述第一场区相同的导电类型。

16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相同，并且与所述第三导电类型相反。

17.根据权利要求14所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述基板的所述非入射表面上的第二钝化层。

18.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中，所述第二钝化层位于所述基板上，在所述射极区和所述第二场区之间。

19.根据权利要求18所述的太阳能电池，其中，所述第二钝化层还位于所述射极区的下方和所述第二场区的下方。

20.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中，所述第二钝化层位于所述射极区的下方和所述第二场区的下方。

21.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

第一导电类型的基板，其由晶体半导体形成；

第一导电类型的场区，其位于所述基板的入射表面上；

防反射层，其直接位于所述场区上；

不同于所述第一导电类型的第二导电类型的射极区，其由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的入射表面相对的非入射表面上；

第一电极，其电连接到所述射极区；以及

第二电极，其电连接到所述基板。