[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

衬底，具有像素区域和非像素区域，该像素区域包括多个单位像素；

在所述非像素区域中的至少一个第一阱；

在所述衬底的第一面上的互连结构；以及

基础阱，在所述非像素区域中且在所述至少一个第一阱与所述衬底的第二面之间。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述至少一个第一阱与所述基础阱具有相同的导电类型。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其中所述基础阱的掺杂浓度高于所述至少一个第一阱的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其中多个第一阱接触所述基础阱，并且如果所述多个第一阱中的至少一个接收第一阱偏压，则所述多个第一阱构造为通过所述基础阱在所述多个第一阱当中共享所述第一阱偏压。

5.一种图像传感器，包括：

衬底，具有像素区域和非像素区域，该像素区域包括多个单位像素；

在所述非像素区域中的多个第一阱；

在所述衬底的第一面上的互连结构；以及

在所述非像素区域中的基础阱，该基础阱具有比所述多个第一阱的掺杂浓度更高的掺杂浓度；其中

所述多个第一阱接触所述基础阱，并且如果所述多个第一阱中的至少一个接收第一阱偏压，则所述图像传感器构造为通过所述基础阱在所述多个第一阱当中共享所述第一阱偏压。

6.如权利要求5所述的图像传感器，其中所述多个第一阱中的每个与所述基础阱具有相同的导电类型。

7.如权利要求5所述的图像传感器，还包括：

至少一个第二阱，在所述多个第一阱当中的两个相邻第一阱之间，并具有与所述两个相邻第一阱不同的导电类型，其中所述至少一个第二阱构造为接收不同于所述第一阱偏压的第二阱偏压。

8.一种制造图像传感器的方法，包括：

在衬底的非像素区域中形成第一阱；

在所述衬底的第一面上形成互连结构；以及

在所述衬底中且在所述第一阱与所述衬底的第二面之间形成基础阱。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述基础阱包括：在形成所述互连结构之后移除体衬底层，在所述衬底的第二面上形成遮蔽像素区域的掩模图案，以及随后对所述衬底的第二面进行离子注入和退火以在所述非像素区域上有选择地形成所述基础阱。

10.如权利要求8所述的方法，其中形成所述基础阱包括：在形成所述互连结构之前，在所述衬底的第一面上形成遮蔽像素区域的掩模图案，以及随后对所述衬底的第一面进行离子注入和退火以在所述非像素区域上有选择地形成所述基础阱。