[发明专利]扩散阻碍结构、透明导电结构及其制作方法

权利要求书

1.一种扩散阻碍结构，其特征在于，包括：

一第一氧化单元，其具有多个第一氧化层，其中每一个第一氧化层为一氧化硅层；以及

一第二氧化单元，其具有多个第二氧化层，其中每一个第二氧化层为一氧化铝层或一氧化锂层，且上述多个第一氧化层与上述多个第二氧化层彼此交替堆栈在一起。

2.根据权利要求1所述的扩散阻碍结构，其特征在于，该扩散阻碍结构的厚度介于1μm至3μm之间，每一个氧化硅层为二氧化硅，且每一个第二氧化层的厚度介于至之间。

3.一种透明导电结构，其特征在于，包括：

一基板单元，其具有至少一塑料基板；

一第一涂层单元，其具有至少一成形于上述至少一塑料基板上的第一涂层；

一扩散阻碍结构，其成形于上述至少一第一涂层上，其中该扩散阻碍结构具有一第一氧化单元及一第二氧化单元，该第一氧化单元具有多个第一氧化层，该第二氧化单元具有多个第二氧化层，每一个第一氧化层为一氧化硅层，每一个第二氧化层为一氧化铝层或一氧化锂层，且上述多个第一氧化层与上述多个第二氧化层彼此交替堆栈在一起；

一第二涂层单元，其具有至少一成形于该扩散阻碍结构上的第二涂层；

一第三涂层单元，其具有至少一成形于上述至少一第二涂层上的第三涂层；以及

一导电单元，其具有至少一成形于上述至少一第三涂层上的透明导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的透明导电结构，其特征在于，上述至少一塑料基板为聚乙烯对苯二甲酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、及聚甲基丙烯酸甲酯的其中之一。

5.根据权利要求3所述的透明导电结构，其特征在于，上述至少一第一涂层为一紫外光硬化涂层，每一个氧化硅层为二氧化硅，上述至少一第二涂层为二氧化钛或五氧化二铌，上述至少一第三涂层为二氧化硅，且上述至少一透明导电薄膜为一铟锡氧化物，其中上述至少一第一涂层的厚度介于6μm至10μm之间，该扩散阻碍结构的厚度介于1μm至3μm之间，每一个第二氧化层的厚度介于至之间，上述至少一第二涂层的厚度介于至之间，上述至少一第三涂层的厚度介于至之间，且上述至少一透明导电薄膜的厚度介于至之间。

6.根据权利要求3所述的透明导电结构，其特征在于，该导电单元还进一步具有至少一与上述至少一透明导电薄膜同时成形的纳米导电群组，其中上述至少一透明导电薄膜成形于上述至少一塑料基板上，且上述至少一纳米导电群组为多个混入或嵌入上述至少一透明导电薄膜内的纳米导电线丝。

7.根据权利要求6所述的透明导电结构，其特征在于，每一个纳米导电线丝为一纳米金丝、纳米银丝或纳米铜丝，每一个纳米导电线丝的线径介于1nm至10nm之间，且上述至少一透明导电薄膜及上述至少一纳米导电群组分别通过溅镀及蒸镀的方式同时成形。

8.一种透明导电结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一基板单元，其具有至少一塑料基板；

将至少一第一涂层成形于上述至少一塑料基板上；

将一扩散阻碍结构成形于上述至少一第一涂层上，其中该扩散阻碍结构具有一第一氧化单元及一第二氧化单元，该第一氧化单元具有多个第一氧化层，该第二氧化单元具有多个第二氧化层，每一个第一氧化层为一氧化硅层，每一个第二氧化层为一氧化铝层或一氧化锂层，且上述多个第一氧化层与上述多个第二氧化层彼此交替堆栈在一起；

将至少一第二涂层成形于该扩散阻碍结构上；

将至少一第三涂层成形于上述至少一第二涂层上；以及

将至少一透明导电薄膜成形于上述至少一第三涂层上。

9.根据权利要求8所述的透明导电结构的制作方法，其特征在于，该导电单元还进一步具有至少一与上述至少一透明导电薄膜同时成形的纳米导电群组，其中上述至少一透明导电薄膜成形于上述至少一塑料基板上，且上述至少一纳米导电群组为多个混入或嵌入上述至少一透明导电薄膜内的纳米导电线丝。

10.根据权利要求8所述的透明导电结构的制作方法，其特征在于，每一个纳米导电线丝为一纳米金丝、纳米银丝或纳米铜丝，每一个纳米导电线丝的线径介于1nm至10nm之间，且上述至少一透明导电薄膜及上述至少一纳米导电群组分别通过溅镀及蒸镀的方式同时成形。