[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种即便被加工得较薄也能够容易地进行处理的晶片的加工方法。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面，通过配设成格子状的被称作间隔道的分割预定线划分出多个区域，并在该划分出的区域中形成IC(integrated circuit：集成电路)、LSI(large-scale integration：大规模集成电路)等器件。然后，通过利用切削装置沿着间隔道切削半导体晶片，来将半导体晶片分割成一个个半导体芯片(器件)。

关于被分割的晶片，在沿着间隔道进行切削之前，通过对背面进行磨削或研磨而形成为预定的厚度(例如参照日本特开2004-319885号公报)。近年来，为了实现电气设备的轻量化、小型化和薄型化，要求使晶片的厚度更薄、例如为大约50μm。对已减薄的晶片需要适当地进行大约几微米(μm)的蚀刻，以除去因磨削而产生的磨削形变。

这样形成得较薄的晶片难以处理，有可能在搬送等中破损。为了解决该问题，本申请人在日本特开2007-19461号公报中提出了使已减薄的晶片容易处理的晶片的加工方法。

在该方法中，通过对与形成有器件的器件区域对应的晶片背面进行磨削而使器件区域减薄至预定的厚度，由此在晶片的背面形成圆形凹部，并且使晶片的背面的外周剩余区域残留从而形成环状凸部(环状加强部)，由此使晶片的处理变得容易。

另一方面，日本特开2009-21462号公报公开了如下的晶片的加工方法：对晶片的背面进行磨削从而形成圆形凹部并形成围绕该圆形凹部的环状凸部，然后在圆形凹部内形成再布线层。

专利文献1：日本特开2004-319885号公报

专利文献2：日本特开2007-19461号公报

专利文献3：日本特开2009-21462号公报

然而，在围绕圆形凹部的环状凸部的侧面与晶片的磨削面垂直的情况下，存在在进行搬送等处理时环状凸部的外周边缘非常容易缺损的问题。

特别是如果在环状凸部的内周部分发生缺损，则随后实施蚀刻时，缺损的部分更容易被蚀刻，因此环状凸部被大幅地侵蚀，结果环状凸部不能起到作为加强部的作用。

此外，当在围绕圆形凹部的环状凸部的侧面与晶片的磨削面垂直的晶片的圆形凹部内形成再布线层的情况下，存在光刻(photolithography)中使用的抗蚀液不易被排出至圆形凹部外的问题。

发明内容

本发明就是鉴于这种问题而完成的，其目的在于提供一种能够减少在环状凸部发生的缺损、且能够高效地将蚀刻液或抗蚀液等处理液排出到圆形凹部外的晶片的加工方法。

根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法用于对在表面具备器件区域和外周剩余区域的晶片进行加工，在所述器件区域形成有多个器件，所述外周剩余区域围绕所述器件区域，所述晶片的加工方法的特征在于，所述晶片的加工方法包括以下工序：保护部件粘贴工序，在该保护部件粘贴工序中，在晶片的表面侧粘贴保护部件；第一保持工序，在该第一保持工序中，利用第一卡盘工作台对粘贴有所述保护部件的晶片的表面侧进行保持，所述第一卡盘工作台具备第一保持面和与该第一保持面垂直的第一旋转轴；带锥度外周加强部形成工序，在该带锥度外周加强部形成工序中，切削刀具具有与所述第一卡盘工作台的所述第一保持面正交的第一面和第二面，且该切削刀具至少在所述第一面的外周形成有从所述第一面朝所述第二面倾斜的第一锥度面，一边使所述切削刀具旋转，一边以使所述第一锥度面朝向晶片的外周侧的方式将所述切削刀具定位在晶片的与所述器件区域的外周缘对应的背面侧的对应位置，并且，一边使所述第一卡盘工作台旋转，一边使所述切削刀具切入晶片以形成环状槽，并在晶片的整个背面侧外周部形成环状外周加强部，该环状外周加强部的环状内周面形成为随着从晶片的背面侧至表面侧而朝半径方向内侧倾斜的第二锥度面；第二保持工序，在该第二保持工序中，利用第二卡盘工作台保持实施了所述带锥度外周加强部形成工序的晶片的表面侧，所述第二卡盘工作台具备第二保持面和与该第二保持面垂直的第二旋转轴；以及晶片磨削工序，在该晶片磨削工序中，磨轮呈环状地具备磨削磨具，所述磨削磨具具有与晶片的背面相对的磨削面，一边利用与所述磨削面垂直的第三旋转轴使所述磨轮旋转，一边使所述磨轮与由所述第二卡盘工作台保持的晶片的背面抵接，并且使所述第二卡盘工作台旋转，磨削晶片的与所述器件区域对应的背面，直到到达至少与在所述带锥度外周加强部形成工序中切削而成的环状槽的底部相同的深度为止，从而在由具有所述第二锥度面的所述环状外周加强部所围绕的晶片的背面区域形成圆形凹部。