[发明专利]高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法

权利要求书

1.一种高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法，主要步骤如下：

步骤1)在器件隔离形成后，在硅衬底上依次形成界面SiO₂/高K栅介质/金属栅/多晶硅/硬掩膜叠层栅结构；

步骤2)光刻形成胶图形；

步骤3)刻蚀叠层栅结构；

步骤4)将步骤3)的产品浸没于腐蚀溶液中去除聚合物，腐蚀溶液体积配比为氢氟酸0.2～1％，盐酸5～15％，其余为水。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤1)中的高K栅介质为Hf基掺杂氧化物。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，高K栅介质为HfO₂、HfSiON、HfSiO、HfSiON、HfLaO、HfLaON、HfAlON或HfSiAlON。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤1)中的金属栅为金属氮化物或掺杂的耐熔金属。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其中，金属栅为TaN、TiN、TaC、TaCN、MoAlN、TiAlN、TiGaN或MoAlN。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤1)中的硬掩膜为SiO₂、Si₃N₄或及其组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤3)中硬掩膜采用氟基气体CF₄/CHF₃刻蚀，多晶硅采用Cl₂/HBr混合气体刻蚀，金属栅采用Cl基反应离子刻蚀，高K栅介质采用BCl₃基气体刻蚀。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，Cl基反应离子刻蚀为BCl₃/Cl₂/Ar或BCl₃/Cl₂/SF₆/Ar混合气体刻蚀。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤4)是在室温下于腐蚀溶液中浸没10～120秒，并搅动腐蚀溶液。