[发明专利]具有器件隔离结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201010541311.0 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102074573A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 韩昇煜;山田悟;崔荣振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/092;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王青芝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 器件 隔离 结构 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有器件隔离结构的半导体器件，所述半导体器件包括：
沟槽，形成在半导体基底中，以限定有源区；
填充介电层，设置在沟槽中；
氧化物层，设置在填充介电层和沟槽之间；
氮化物层，设置在氧化物层和填充介电层之间；
阻挡层，设置在氧化物层和氮化物层之间。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，阻挡层包括未掺杂多晶硅、掺杂多晶硅和金属中的一种。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，阻挡层的厚度小于氮化物层的厚度。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，阻挡层共形地设置在沟槽的侧壁部分和底部上。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，阻挡层设置在沟槽的侧壁部分上，氮化物层与氧化物层在沟槽的底部直接接触。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，氮化物层和氧化物层在沟槽的上部接触
7.如权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
缓冲介电层，在沟槽的上部覆盖阻挡层的上表面。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，缓冲介电层设置在氧化物层和氮化物层之间
9.如权利要求7所述的半导体器件，其中，缓冲介电层设置在氧化物层和填充绝缘层之间。
10.如权利要求1所述的半导体器件，其中，阻挡层的最上面的表面和半导体基底的上表面之间的距离大于氧化物层的厚度。
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