[发明专利]一种以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末的快速晶化方法有效

专利信息
申请号: 201010541470.0 申请日: 2010-11-11
公开(公告)号: CN102060544A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 李延辉;王立;尹少武;杨福明 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C04B35/626 分类号: C04B35/626;C04B35/584
代理公司: 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 代理人: 刘淑芬
地址: 100083 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 硅粉作 添加剂 实现 氮化 粉末 快速 方法
【权利要求书】:

1.一种以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末快速晶化的方法,其特征是将非晶氮化硅粉和作为添加剂的硅粉按照氮化硅粉∶硅粉=(98~50)∶(2~50)的质量比例充分混合,再经过筛分、干燥工序以满足粒径范围为0.01μm~200μm后,装入高温氮气炉内进行非晶氮化硅的晶化;添加剂硅粉在有效缩短非晶氮化硅晶化时间的同时,与氮气发生燃烧合成反应生成α相氮化硅,最终产品为高α相氮化硅粉体,产品中硅含量在0.1%以下。

2.如权利要求1所述的以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末快速晶化的方法,其特征在于:该方法包括原料混合系统、原料筛分系统、原料干燥系统以及原料的晶化热处理系统;

具体工艺步骤为:

(1)将非晶氮化硅粉和作为添加剂的硅粉按照氮化硅粉∶硅粉=(98~50)∶(2~50)的质量比例在原料混合系统中充分混合,使两种原料均匀分布;

(2)将混合物料在筛分系统中进行筛分处理,使非晶氮化硅粉和作为添加剂的硅粉的粒径范围为0.01μm~200μm,确保除去大颗粒粉料;

(3)将混合物料在干燥系统中进行干燥处理,干燥温度为80~120℃,干燥时间为1~8小时,去除粉料中吸附的水;

(4)将混合物料送入晶化热处理系统中,在氮气气氛下,依次经过预热过程、晶化及氮化过程、冷却过程,完成整个热处理工艺,得到高α相含量的氮化硅超细粉或α/β相复合氮化硅粉。

3.如权利要求2所述的以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末快速晶化的方法,其特征在于工艺步骤(4)晶化及氮化过程中,氮气炉内压力一直保持微正压,表压力为0~0.02MPa。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学,未经北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010541470.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top