[发明专利]去除氯硅烷体系中硼杂质的隔板吸附装置及方法有效
| 申请号： | 201010542402.6 | 申请日： | 2010-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102058992A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 黄国强;石秋玲;王红星;华超;王国峰;姚帅鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B01D3/32 | 分类号： | B01D3/32;B01D53/04;C01B33/107 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 硅烷 体系 杂质 隔板 吸附 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种去除氯硅烷体系中杂质硼化合物的隔板吸附装置，其特征在于：由一个与塔式吸附段高度相同、置于塔中部的隔板，将该装置分为四个区域：公共精馏段(1)，塔式吸附段(2)，侧线采出段(3)，公共提馏段(4)；在塔式吸附段(2)内填装吸附剂。
2.如权利要求1所述的装置，其特征是所述的吸附剂为活性炭，树脂，沸石或硅胶。
3.去除氯硅烷体系中杂质硼化合物的方法，其特征是含有杂质硼化合物的氯硅烷物料(5)在塔式吸附段中部进料，塔顶得到轻组分(6)，侧线采出段得到提纯后的产品三氯氢硅(7)，塔底得到重组分(8)，塔的操作压力为300Kpa～500Kpa。
4.采用权利要求1的去除氯硅烷体系中杂质硼化合物的隔板吸附装置，其特征是应用于物料中有三个组分及其三个以上组分中含有能被吸附剂吸附的杂质的物系的除杂和分离。
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