[发明专利]TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)是利用设置在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的旋转的程度，从而控制透光的强弱来显示图像的。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须具有由背光模块组、偏光片、上基板(通常是彩膜基板)和下基板(通常是阵列基板)以及由它们两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。阵列基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)开关和像素电极；其中，TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极，有源层形成在源电极和漏电极与栅电极之间。衬底基板上一般还形成有公共电极线，用于和像素电极形成存储电容。公共电极与像素电极之间的电场强度变化控制着液晶分子的旋转的程度。TFT阵列基板上与栅线平行并处于同一层的公共电极线和像素电极之间可以形成的存储电容用来维持下一个信号来临前液晶分子的状态。

在TFT阵列基板的生产过程中，为了防止像素电极与薄膜晶体管数据线之间的间隙漏光，通常的做法是在玻璃基板的底层，数据线和像素电极之间的间隙处设置遮光条，用以防止漏光的发生。然后再在各个像素电极区域之间需要挡光的地方通过进行一次掩膜板构图工艺，形成黑色图形。

在进行上述遮光的生产工艺中，发明人发现现有技术中，一是增加了掩膜板构图工艺，增加了制造成本，降低了生产效率；二是当对位精度较差时，像素电极和数据线之间的间距就会增大，现有方法不能完全保证遮光，增加了漏光的可能性，影响画面品质。

发明内容

本发明的实施例提供一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置，无需为遮光增加掩膜板构图工艺，降低了制造成本，提高了生产效率，且能够有效保证遮光，保证了画面的品质。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种TFT阵列基板制造方法，在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线，所述数据线和栅线围设形成像素单元，每个像素单元包括TFT开关；其中，所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层，

在形成有上述结构的所述基板上形成钝化层；

在所述形成有钝化层的基板上沉积像素电极层；

在所述像素电极层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全保留区域对应像素电极区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；

刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层；

对基板进行处理，使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色；

剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。

本发明实施例还提供一种TFT阵列基板，包括：

基板；所述基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；所述数据线和栅线围设形成像素单元，每个像素单元包括TFT开关，其中，所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；在所述基板上形成有钝化层；在钝化层上对应像素单元区域形成有像素电极区域；

所述钝化层对应所述像素电极区域的部分为透明；

所述钝化层对应其他区域的部分表面为黑色。

本发明实施例还提供一种液晶显示装置，包括上述的TFT阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上不设置黑矩阵。