[发明专利]等离子体处理装置无效
申请号: | 201010543269.6 | 申请日: | 2006-04-27 |
公开(公告)号: | CN101982563A | 公开(公告)日: | 2011-03-02 |
发明(设计)人: | 森田治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01L21/3065;H01L21/205;H05H1/24 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;彭益群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,包括:
处理容器,具有:其中生成等离子体的等离子体生成空间,和其中放置基板且所述基板进行等离子体处理的处理空间,
气体供应板,其被设置在所述处理容器中以将所述处理容器中的所述等离子体生成空间和所述处理空间分开,
处理气体供应孔,其被设置在所述气体供应板中,用于将处理气体供应至所述处理容器中,
多个开口,其被设置在所述气体供应板中,用于将所述等离子体生成空间与所述处理空间连通,和
传热元件,其从所述气体供应板的中央区域延伸到所述气体供应板的外周区域,所述传热元件的传热速率高于形成所述气体供应板的材料的传热速率。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中
所述传热元件被设置在所述气体供应板内。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中
所述气体供应板的面对所述基板的区域具有纵向条和横向条的栅格,并且
所述传热元件的至少一部分被设置在纵向条或横向条内。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其中
所述气体供应板具有围绕所述栅格的圆形环状部分,并且
所述圆形环状部分由所述处理容器的侧壁支撑。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置,其中
加热介质通道设置在所述处理容器的侧壁内,并且
流过所述加热介质通道的加热介质与所述传热元件适于进行热交换。
6.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其中
所述气体供应板的面对所述基板的区域被分成四个象限,
所述传热元件的至少一部分被设置在两个象限中的纵向条的内部,并且
所述传热元件的至少一部分被设置在另外两个象限中的横向条的内部。
7.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其中
所述气体供应板中的处理气体通道的一部分被设置在纵向条或横向条的内部。
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中
所述气体供应板设置有另外的用于将等离子体生成气体供应至所述等离子体生成空间的气体供应孔。
9.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其中
所述气体供应板设置有另外的用于将等离子体生成气体供应至所述等离子体生成空间的气体供应孔,并且
所述气体供应板中的等离子体生成气体通道的一部分被设置在纵向条或横向条的内部。
10.如权利要求8所述的等离子体处理装置,其中
当在所述气体供应板的纵向方向上观察时,所述处理气体通道和所述等离子体生成气体通道以重叠的方式排列。
11.如权利要求8所述的等离子体处理装置,其中
所述传热元件的一部分被配置在所述处理气体通道和所述等离子体生成气体通道之间。
12.如权利要求1所述的等离子体处理装置,进一步包括
用于与在所述气体供应板的外周区域的所述传热元件进行热交换的加热介质通道。
13.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中所述传热元件是热管。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的