[发明专利]一种适用于高速集成放大器的频率补偿电路无效
申请号: | 201010543420.6 | 申请日: | 2010-11-15 |
公开(公告)号: | CN102035478A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 黄杏丽;秦希;洪志良 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 高速 集成 放大器 频率 补偿 电路 | ||
1.一种适用于高速集成放大器的频率补偿电路,其特征在于该频率补偿电路由电阻负载的全差分主级放大器以及在其同相输入输出端间插入的可变增益源极跟随器和一对补偿电容组成。
2.根据权利要求1所述的适用于高速集成放大器的频率补偿电路,其特征在于输入信号施加在主级放大器输入端:分别为第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)的栅端,分别在第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)漏端的第一负载电阻(R1)、第二负载电阻(R2)上产生电压信号输出;第三~第六MOS管(M3~M6)构成源极跟随器,其中,第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)是源极跟随器的输入管,它们的栅端分别连接在第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)的漏端;第五MOS管(M5)、第五MOS管(M6)是偏置MOS管;第七MOS管(MCS)工作在线性区,接在第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)的源端,用以调节源极跟随器的增益;第八MOS管(MC1)、第九MOS管(MC2)的源漏连接,工作在截止区,栅源(漏)的寄生电容用作补偿电容;第八MOS管(MC1)、第九MOS管(MC2)两端分别为主级放大器的输入和源极跟随器的输出,为同相输入与输出,等效为负密勒电容。
3.根据权利要求1或2所述的适用于高速集成放大器的频率补偿电路,其特征在于:第八MOS管(MC1)、第九MOS管(MC2)的栅源电容是Cgd的(1+|Av|)/(|ALP|-1)倍,其中Av是主级放大器的增益,ALP是主级放大器和源极跟随器的增益之积,Cgd是晶体管源漏寄生电容。
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