[发明专利]光电二极管以及制造光电二极管的方法

权利要求书

1.一种光电二极管，包括：

第一半导体类型表面区域；

形成在所述第一半导体类型表面区域的一部分中的第二半导体类型表面层，其中通过所述第一半导体类型表面区域和所述第二半导体类型表面层的PN结形成有源光电二极管区域；

在所述第二半导体类型表面层上的钝化涂层；

在所述钝化涂层的一部分上的蚀刻停止涂层；

在所述有源光电二极管区域的至少一部分上的开口，所述开口向下延伸穿过所述蚀刻停止涂层直到所述钝化涂层；

包含多个电介质层的电介质反射涂层滤光器，所述电介质反射涂层滤光器填充所述开口的至少一部分从而覆盖所述有源光电二极管区域的至少一部分；

其中所述开口允许入射在所述光电二极管上的光的一部分被所述有源光电二极管区域接收；以及

其中所述电介质反射涂层滤光器反射入射在所述光电二极管上的光的一部分从而调整所述光电二极管的光谱响应。

2.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述电介质反射涂层滤光器填充整个所述开口。

3.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于：

所述电介质反射涂层滤光器包括顶面和侧壁，所述顶面大体上平行于所述钝化涂层的顶面，所述侧壁从所述电介质反射涂层滤光器的所述顶面向所述钝化涂层延伸；以及

更进一步包括覆盖所述电介质反射涂层滤光器的所述顶面和所述侧壁的暗反射镜。

4.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于：

所述第一半导体类型是P型和N型中的一种；以及

所述第二半导体类型是P型和N型中的另一种。

5.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于：

所述钝化涂层包括在所述第二半导体类型表面层上的氧化物层和在所述氧化物层上的不同于所述氧化物层的第二电介质层；以及

所述钝化涂层的所述第二电介质层延伸超出所述第二半导体类型表面层。

6.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述钝化涂层的一部分上的所述蚀刻停止涂层包括氧化物层上的抗氧化蚀刻层。

7.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述钝化涂层的一部分的上方存在所述蚀刻停止涂层，所述部分包括所述钝化涂层的外围部分。

8.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述蚀刻停止涂层包括氮化硅和多晶硅中的至少一种，并且位于所述第二半导体表面层的外围部分上方并延伸超过所述外围部分。

9.一种光电二极管，包括：

第一半导体类型表面区域；

形成在所述第一半导体类型表面区域的一部分中的第二半导体类型表面层，其中通过所述第一半导体类型表面区域和所述第二半导体类型表面层的PN结形成有源光电二极管区域；

在所述第一半导体类型表面区域的一部分上形成的蚀刻停止涂层，所述蚀刻停止涂层包围所述第二半导体类型表面层；

在所述有源光电二极管区域的至少一部分上的开口，所述开口向下延伸穿过所述蚀刻停止涂层直到所述第二半导体类型层或者直到在所述第二半导体类型表面层上的薄氧化物层；

包含多个电介质层的电介质反射涂层滤光器，所述电介质反射涂层滤光器覆盖所述开口；

其中所述开口允许入射在所述光电二极管上的光的一部分被所述有源光电二极管区域接收；以及

其中所述电介质反射涂层滤光器反射入射在所述光电二极管上的光的一部分从而调整所述光电二极管的光谱响应。

10.如权利要求9所述的光电二极管，其特征在于：

所述电介质反射涂层滤光器填充所述开口的至少一部分；

所述的电介质反射涂层滤光器包括顶面和侧壁，所述顶面大体上平行于所述钝化涂层的顶面，所述侧壁从所述电介质反射涂层滤光器的所述顶面向所述第二半导体类型表面层延伸；以及

进一步包含覆盖所述电介质反射涂层滤光器的所述顶面和所述侧壁的暗反射镜。