[发明专利]磁场传感器

权利要求书

1.一种AMR传感器，包括：

至少第一和第二AMR传感器元件(301、302)；

用于向第一AMR传感器元件施加第一DC偏置场(Hbias)以及向第二AMR传感器元件施加相反的第二DC偏置场(-Hbias)的装置；以及

用于组合第一和第二AMR传感器元件的输出以获得传感器响应的装置，该传感器响应在接近零外磁场的区域中实质上是反对称的。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中用于施加DC偏置的装置提供具有沿着第一敏感方向的分量的第一DC偏置场(Hbais)以及具有沿着相反的敏感方向的分量的第二DC偏置场(-Hbias)。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中用于施加DC偏置的装置包括紧邻传感器元件(301、302)的一个线圈或多个线圈。

4.根据前述权利要求任一项所述的传感器，其中用于组合的装置包括：具有串联的第一和第二传感器元件(301、302)的电路配置，在传感器元件(301、302)之间的节点处限定输出电压(Vout)，使得该输出电压取决于传感器元件(301、302)的电阻之间的差异。

5.根据权利要求4所述的传感器，包括差分放大器(501)，用于参照参考电压测量输出电压。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器，其中用于组合的装置包括具有第一和第二传感器元件的电路配置，第一和第二传感器元件连接至差分放大器的输入端子。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器，包括按照两个并行的电路分支设置的至少两对AMR传感器元件。

8.根据权利要求7所述的传感器，其中：

第一分支包括向其施加第一DC偏置场(Hbias)的第一AMR传感器元件，以及向其施加第二DC偏置场(-Hbias)的第二AMR传感器元件，第一AMR传感器元件和第二AMR传感器元件从高电源端子(V_ref)至低电源端子串联；以及

第二分支包括向其施加第二DC偏置场(-Hbias)的第一AMR传感器元件，以及向其施加第一DC偏置场(Hbias)的第二AMR传感器元件，第一AMR传感器元件和第二AMR传感器元件从高电源端子(V_ref)至低电源端子串联。

9.根据前述权利要求任一项所述的传感器，其中待检测的外磁场沿着AMR传感器元件(301、302)的最敏感方向对准。

10.根据权利要求9所述的系统，其中在零磁场相交期间的外磁场与每一个AMR传感器元件实质上垂直地对准。

11.根据前述权利要求任一项所述的传感器，还包括基于与零相交的传感器响应而检测零相交的装置。

12.一种AMR感测方法，包括：

向第一AMR传感器元件(301)施加第一DC偏置场(Hbais)；

向第二AMR传感器元件(302)施加相反的第二DC偏置场(-Hbais)；以及

组合第一和第二AMR传感器元件的输出以获得传感器响应，该传感器响应在接近零外磁场的区域中实质上是反对称的。

13.根据权利要求12所述的方法，其中施加DC偏置包括：

提供具有沿第一敏感方向的分量的第一DC偏置场(Hbias)；以及

提供具有沿相反的敏感方向的分量的第二DC偏置场(-Hbias)。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中所述组合包括：

提供串联的第一和第二传感器元件(301、302)，在传感器元件之间的节点处限定输出电压(Vout)，使得该输出电压取决于传感器元件的电阻之间的差异。

15.根据权利要求12、13或14所述的方法，包括基于与零相交的传感器响应而检测零相交。