[发明专利]多元复合透明导电薄膜制备方法及其制备的薄膜和应用

权利要求书

1.一种多元复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

AZO靶材的制备：将Al₂O₃和ZnO粉体混合，烧结作为靶材，所述Al₂O₃与ZnO的摩尔量比为1/90～1/50；

ATO靶材的制备：将Sb₂O₃和SnO₂粉体混合，烧结作为靶材，所述Sb₂O₃与SnO₂的摩尔量比为1/7～1/5；

薄膜的沉积：将所述AZO靶材和ATO靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设置衬底温度为500℃～800℃，并在衬底上加载负偏压，惰性气体流量为15sccm～25sccm，压强为0.2Pa～1.6Pa，AZO靶位和ATO靶位的溅射功率为60W～160W，沉积时间为40min～240min。

2.如权利要求1所述的多元复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述负偏压为10V～80V。

3.如权利要求1或2所述的多元复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述负偏压为30V～60V。

4.如权利要求1所述的多元复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底温度为600℃～750℃。

5.如权利要求1所述的多元复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述AZO靶材的溅射功率为90W～110W，所述ATO靶材的溅射功率为110W～130W。

6.如权利要求1所述的多元复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述压强为0.8Pa～1.2Pa。

7.如权利要求1所述的多元复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述溅射沉积生长时间为80min～160min。

8.如权利要求1～7任一所述的多元复合透明导电薄膜的制备方法获得的透明导电薄膜。

9.如权利要求8所述的多元复合透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的电阻率为2.0×10^-2Ω·cm～7.3×10^-4Ω·cm，所述电阻率在250℃以下的变化小于15％。

10.如权利要求8所述的多元复合透明导电薄膜在半导体光电器件中的应用。