[发明专利]高频频率源装置有效
| 申请号： | 201010544425.0 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102468851A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王显泰;吴旦昱;刘洪刚;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03L7/26 | 分类号： | H03L7/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 频率 装置 | ||
1.一种高频频率源装置，其特征在于，包括：
单片氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT微波振荡器，用于产生高功率的微波振荡信号；
锁相电路，用于接收所述微波振荡信号，实现对所述单片GaN HEMT微波振荡器输出的微波振荡信号的锁相；
倍频电路，用于接收所述单片GaN HEMT微波振荡器产生的经过所述锁相的微波振荡信号，并将所述微波振荡信号倍频到预设高频频率后输出。
2.根据所述权利要求1所述的高频频率源装置，其特征在于：所述锁相电路包括：
预分频器，用于接收所述微波振荡信号，并对所述微波振荡信号进行预分频；
晶振参考源，用于生成参考频率信号；
微波锁相环，用于将所述预分频后的微波振荡信号与所述参考频率信号进行比较，生成校准电压信号，并将所述校准电压信号发送至所述单片GaN HEMT微波振荡器，实现对所述单片GaN HEMT微波振荡器产生的微波振荡信号的锁相。
3.根据所述权利要求2所述的高频频率源装置，其特征在于，所述单片GaN HEMT微波振荡器的输出功率大于1W。
4.根据所述权利要求3述的高频频率源装置，其特征在于，所述单片GaN HEMT微波振荡器的工作频率在X波段。
5.根据所述权利要求2所述的高频频率源装置，其特征在于：所述倍频电路为肖特基二极管倍频电路。
6.根据所述权利要求5所述的高频频率源装置，其特征在于：
当所述预设高频频率在毫米波段时，所述肖特基二极管倍频电路采用砷化镓GaAs肖特基二极管实现；
当所述预设高频频率在太赫兹波段时，所述肖特基二极管倍频电路采用磷化铟InP肖特基二极管实现。
7.根据所述权利要求2所述的高频频率源装置，其特征在于：所述预分频器的分频数为2至4倍。
8.根据所述权利要求7所述的高频频率源装置，其特征在于：所述晶振参考源的频率介于10MHz至100MHz之间。
9.根据所述权利要求7所述的高频频率源装置，其特征在于：所述微波锁相环为可编程分频的集成锁相环，可通过编程实现锁相环分频比设置于10至300之间。
10.根据所述权利要求1所述的高频频率源装置，其特征在于，所述单片GaN HEMT微波振荡器包括预分频器。
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