[发明专利]一种自支撑GaN基发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010545467.6 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102110751A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 潘新花;黄靖云;叶志镇;丁萍;张宏海 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 gan 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自支撑GaN基发光器件，其特征是：自下而上依次有GaN保护层(3)、GaN缓冲层(4)、n型GaN层(5)、GaN基发光层(6)和p型GaN层(7)。
2.制备权利要求1所述的自支撑GaN基发光器件的方法，包括以下步骤：
1)将经清洗处理的SiC衬底(1)放入分子束外延设备，在400～700℃温度，调节生长室压力为1×10-5Torr～6×10-5Torr，先以纯O2为O源，金属Zn源为反应源，生长厚度为0.5～5微米的ZnO层(2)，然后以纯N2为N源，金属Ga源为反应源，在ZnO层(2)上生长厚度为0.5～5微米的GaN保护层(3)。
2)将生长有ZnO层(2)和GaN保护层(3)的SiC片放入金属有机物化学气相沉积装置，以纯NH3为N源，纯H2或N2为载气，在1000～1200℃温度下依次以三甲基镓或三乙基镓为Ga源，生长GaN缓冲层(4)和n型GaN层(5)；以三甲基镓或三乙基镓为Ga源、以三甲基铟为In源，生长GaN/GaInN多层作为GaN基发光层(6)，或者以三甲基镓或三乙基镓为Ga源、以三甲基铝为Al源，生长GaN/GaAlN多层作为GaN基发光层(6)；以三甲基镓或三乙基镓为Ga源、以二茂镁为Mg源生长p型GaN层(7)。
3)采用酸液腐蚀去掉ZnO层(2)，将SiC衬底(1)剥离，获得自支撑的GaN基器件。
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