[发明专利]一种二硼化镁超导带材的制作方法

权利要求书

1.一种二硼化镁超导带材的制作方法，其具体作法是：

A、涂覆硼层：采用涂覆的方法将无定形硼均匀分布在导电基片上，形成0.1～2.0mm厚的无定形硼层；

B、覆盖镁层：在硼层的上面覆盖镁或镁合金的薄片，薄片厚度0.1～2.0mm，通过碾压使硼层与镁或镁合金的薄片完全结合，形成镁-硼-基片的结合体；

C、热处理：将B步的结合体放入热处理炉中，在氩气保护气氛下，升温至550～800℃后，保温0.1-3小时后冷却，结合体中的Mg-硼即形成MgB₂超导层；

D、涂保护层：在C步处理后的结合体超导层表面上涂覆金属、金属合金、金属氧化物、碳化硅或类金刚石薄膜作为保护层，形成由基片、MgB₂超导层和保护层组成的复合体；

E、切割加工：将D步的复合体切割成长带，即得。

2.如权利要求1所述的一种二硼化镁超导带材的制作方法，其特征在于：所述A步中的导电基片为厚度为0.2-1mm的铁(Fe)、铜(Cu)、镍(Ni)、铝(Al)、铌(Nb)、CuNi合金或NiZr合金。

3.如权利要求1所述的一种二硼化镁超导带材的制作方法，其特征在于：所述A步的无定形硼中还加有掺杂剂，掺杂剂和无定形硼的化学计量比为0.001～0.3；掺杂剂为纳米碳化硅、苹果酸(C₄H₆O₅)、对二甲氨基苯甲醛(C₉H₁₁NO)、甲苯(C₇H₈)、乙基苯(C₈H₁₀)、Ti、Zr或纳米氧化钬(Ho₂O₃)中的一种或一种以上的混合物。