[发明专利]晶体管阵列基板

说明书

技术领域

本发明是有关于一种应用于显示器的主动组件阵列基板（active array substrate），且特别是有关于一种晶体管阵列基板。

 

背景技术

现今的液晶显示器（Liquid Crystal Display, LCD）多半使用多个半导体晶体管（semiconductor transistor）来显示影像。一般而言，液晶显示器具有多个液晶电容（liquid crystal capacity），而这些液晶电容通常是由多个像素电极（pixel electrode）、液晶层与彩色滤光基板（color filter substrate）所形成。这些半导体晶体管能输入电流至这些液晶电容，以对液晶电容进行充电。如此，液晶层内的液晶分子得以转动，促使液晶显示器显示影像。

承上述，半导体晶体管输入至液晶电容的电流以及半导体晶体管的电子迁移率（electron mobility）二者基本上是呈正比，而电子迁移率会受到温度的影响而改变。当半导体晶体管处于温度偏高的环境时，电子迁移率会增加，而输入至液晶电容的电流也会增加。当半导体晶体管处于温度偏低的环境时，电子迁移率会降低，而输入至液晶电容的电流也会降低。

    因此，当液晶显示器处于温度偏低的环境时，液晶电容从半导体晶体管所接收到的电流会减少，以至于容易发生液晶电容充电不足的情形。一旦发生液晶电容充电不足的情形，则液晶显示器不能显示正确的灰阶颜色，导致液晶显示器所显示的影像发生色彩失真的问题。

发明内容

本发明提供一种晶体管阵列基板，以减少液晶显示器处于温度偏低的环境时，液晶电容发生充电不足的情形。

本发明提供一种晶体管阵列基板，包括一基板、一像素阵列（pixel array）、多个电阻与多个半导体晶体管。像素阵列、这些电阻与这些半导体晶体管皆配置在基板上。像素阵列包括多条扫描线（scan line）。各个电阻电性连接其中一扫描线，而各个半导体晶体管电性连接其中一扫描线与其中一电阻。这些扫描线能一第一电压与一第二电压。第二电压大于第一电压。

在本发明一实施例中，上述像素阵列还包括多条数据线（data line）以及多个像素单元（pixel unit）。这些数据线与这些扫描线彼此交错，而这些像素单元电性连接这些扫描线与这些数据线。

在本发明一实施例中，上述晶体管阵列基板还包括一第一配线以及一第二配线。第一配线配置在基板上，并电性连接这些半导体晶体管，其中第一配线能传输第一电压至这些半导体晶体管。第二配线配置在基板上，并电性连接这些电阻，其中第二配线能传输第二电压至这些电阻。

在本发明一实施例中，上述第一配线与第二配线彼此并列，并且皆与这些数据线并列。

在本发明一实施例中，各个半导体晶体管为场效晶体管（field-effect transistor），并且包括一栅极（gate）、一源极（source）以及一漏极（drain）。栅极用于接收一脉冲信号（pulse signal）。源极电性连接第一配线。漏极电性连接电阻与扫描线。

在本发明一实施例中，各个像素单元包括一像素晶体管（pixel transistor）以及一像素电极。像素晶体管电性连接其中一扫描线与其中一数据线，而像素电极电性连接像素晶体管。

在本发明一实施例中，这些像素晶体管与这些半导体晶体管皆为薄膜晶体管（Thin-film Transistor, TFT）。

藉由这些半导体晶体管与电阻，以及半导体晶体管随温度而改变的电子迁移率，在液晶显示器处于温度偏低的环境时，本发明能提高像素晶体管对液晶电容的充电能力，进而减少液晶电容发生充电不足的情形。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1A是本发明一实施例的晶体管阵列基板的电路示意图。

图1B是图1A中区域A内的脉冲信号与扫描线所传输的电压的时序示意图。

图1C是图1A中区域A内的等效电路示意图。

具体实施方式

图1A是本发明一实施例的晶体管阵列基板的电路示意图。请参阅图1A，晶体管阵列基板100可以应用于液晶显示器，并且包括一基板110、一像素阵列120、多个电阻130与多个半导体晶体管140。像素阵列120、这些电阻130与这些半导体晶体管140皆配置在基板110上，且这些半导体晶体管140与电阻130皆电性连接像素阵列120。