[发明专利]一种平坦化方法

权利要求书

1.一种平坦化方法，其特征是，所述平坦化方法包括如下步骤：

(a)、提供衬底，所述衬底上设置底层金属连线；

(b)、在上述衬底上，淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上；

(c)、在上述绝缘介质层上涂布光刻胶；

(d)、对上述衬底及光刻胶进行热处理，去除光刻胶中的水汽；

(e)、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；

(f)、对上述衬底通过干法去胶后，再用EKC溶液清洗，清除衬底上的光刻胶；

(g)、上述衬底上，再次淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上；

(h)、在上述再次淀积得到的绝缘介质层上涂布光刻胶；

(i)、对上述衬底及光刻胶进行热处理，去除光刻胶中的水汽；

(j)、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀，去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶，并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层；所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当；

(k)对上述衬底通过干法去胶后，再用EKC溶液清洗，清除衬底上的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述衬底的材料包括硅。

3.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述底层金属连线的厚度为1000nm～1500nm。

4.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述绝缘介质层为SiO₂层。

5.根据权利要求1或4所述的平坦化方法，其特征是：所述绝缘介质层通过PECVD淀积在底层金属连线上，所述绝缘介质层的厚度为1000nm～1400nm。

6.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述步骤(c)和步骤(h)中，涂布光刻胶的厚度为1000nm～1400nm。

7.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述步骤(d)和步骤(h)中，对衬底及光刻胶在150～200℃进行40～80分钟的热处理，除去光刻胶中的水汽。

8.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述步骤(k)中，保留得到的绝缘氧化层的厚度为1000nm～1300nm。

9.根据权利要求1或3所述的平坦化方法，其特征是：所述底层金属连线的材料包括铝。

10.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述步骤(e)和步骤(j)中，对光刻胶和绝缘介质层的干法刻蚀包括两步，第一步先去除绝缘介质层上的光刻胶，第二部中将剩余的光刻胶和绝缘介质层去除，保留位于底层金属连线台阶上的绝缘介质层。